Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10А 43Вт
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
271 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:271 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 137,22 |
| от 17 | 127,97 |
| от 34 | 120,42 |
| от 100 | 114,79 |
| от 150 | 110,60 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от Vishay. Работает при напряжении до 60 В, выдерживает ток до 10 А и мощность до 43 Вт. Выпускается в стандартном корпусе TO-220AB. Подходит для импульсных источников питания и схем управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Сопротивление сток-исток | 0.20Ω |
| Серия | IRFZ14, SiHFZ14 |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 19ns |
| Время нарастания | 50ns |
| Технология | Third generation Power MOSFET |
| Описание | N-Channel Power MOSFET |
| Артикул | IRFZ14PBF |
| Channel type | N-Channel |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Конфигурация | Single |
| Соотв. RoHS | Да |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m) |
| Заряд сток-затвор | 5.8nC |
| Вх. емкость | 300pF |
| Rds on conditions | VGS=10V, ID=6.0A |
| Полный заряд затвора | 11nC |
| Макс. пороговое Vgs | 4.0V |
| Мин. пороговое Vgs | 2.0V |
| Body diode voltage | 1.6V |
| Заряд затвор-исток | 3.1nC |
| Выходная емкость | 160pF |
| Время задержки включения | 10ns |
| Gate source leakage | ±100nA |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 13ns |
| Напряжение сток-исток | 60V |
| Импульсный ток стока | 40A |
| Switching conditions | VDD=30V, ID=10A, RG=24Ω, RD=2.7Ω |
| Capacitance conditions | VGS=0V, VDS=25V, f=1.0MHz |
| Gate charge conditions | ID=10A, VDS=48V, VGS=10V |
| Коэффициент снижения мощности | 0.29W/°C |
| Power dissipation tc25 | 43W |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 2.4S |
| Peak diode recovery dvdt | 4.5V/ns |
| Vgs threshold conditions | VDS=VGS, ID=250µA |
| Internal drain inductance | 4.5nH |
| Диап. темп. хр. | -55 to +175°C |
| Internal source inductance | 7.5nH |
| Пиковая температура пайки | 300°C for 10s |
| Vds temperature coefficient | 0.063V/°C |
| Pulsed diode forward current | 40A |
| Обратная проходная емкость | 29pF |
| Thermal resistance case sink | 0.50°C/W |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB |
| Body diode voltage conditions | TJ=25°C, IS=10A, VGS=0V |
| Continuous drain current tc25 | 10A |
| Энергия одиноч. импульса | 47mJ |
| Continuous drain current tc100 | 7.2A |
| Gate source leakage conditions | VGS=±20V |
| Рабочая температура перехода | -55 to +175°C |
| Body diode reverse recovery time | 70ns typ, 140ns max |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 3.5°C/W |
| Body diode reverse recovery charge | 0.20µC typ, 0.40µC max |
| Forward transconductance conditions | VDS=25V, ID=6.0A |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62°C/W |
| Zero gate voltage drain current tc25 | 25µA |
| Continuous source drain diode current | 10A |
| Zero gate voltage drain current tc150 | 250µA |
| Body diode reverse recovery conditions | TJ=25°C, IF=10A, dI/dt=100A/µs |
Заметили ошибку в описании или параметрах?