Документация
Транзистор IRFR5305TRPBF
В наличии
На своём складе
346 шт.
Норм. уп.: 1
У поставщиков
650 шт.
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 10 | 36,81 |
| от 20 | 35,84 |
| от 40 | 34,87 |
| от 80 | 33,90 |
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:650 шт
Срок поставки: до 2 недель
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 10 | 36,81 |
| от 20 | 35,84 |
| от 40 | 34,87 |
| от 80 | 33,90 |
Описание
Транзистор Infineon IRFR5305TRPBF — P-канальный MOSFET с рассеиваемой мощностью до 110 Вт. Выполнен в поверхностном корпусе TO-252-3, рассчитан на работу в диапазоне температур от -55 до +175 °С. Подходит для схем управления нагрузкой в промышленной автоматике и силовой электронике.
Технические характеристики
| I s | -31A |
| L d | 4.5nH |
| L s | 7.5nH |
| Q g | 63nC |
| T f | 63ns |
| T j | -55 to +175°C |
| T r | 66ns |
| E ar | 11mJ |
| E as | 280mJ |
| G fs | 8.0S |
| I ar | -16A |
| I sm | -110A |
| Q gd | 29nC |
| Q gs | 13nC |
| Q rr | 170nC |
| T rr | 71ns |
| Тип | P-channel Power MOSFET |
| V gs | ±20V |
| V sd | -1.3V |
| C iss | 1200pF |
| C oss | 520pF |
| C rss | 250pF |
| Dv dt | -5.0V/ns |
| I dss | -25µA |
| Мощность, Вт | 110 |
| T stg | -55 to +175°C |
| V dss | -55V |
| T d on | 14ns |
| Вес | 0.64 |
| В упаковке | REEL, 2000 шт. |
| P d 25c | 110W |
| Корпус | TO-252-3 |
| R ds on | 0.065Ω |
| R th jc | 1.4°C/W |
| T d off | 39ns |
| V gs th | -2.0 to -4.0V |
| Тип монтажа | SMD |
| V(BR)DSS | -55V |
| Без свинца | Да |
| Рабочая температура | -55…+175 °С |
| I d pulsed | -110A |
| I dss 150c | -250µA |
| Описание | HEXFET Power MOSFET |
| Артикул | IRFR5305PbF |
| R th ja pcb | 50°C/W |
| Fall time ns | 63 |
| Rise time ns | 66 |
| I gss forward | 100nA |
| I gss reverse | -100nA |
| R th ja socket | 110°C/W |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1Nm) |
| On resistance ohm | 0.065 |
| I d continuous 25c | -31A |
| Avalanche current a | -16 |
| I d continuous 100c | -22A |
| Power dissipation w | 110 |
| V br dss temp coeff | -0.034V/°C |
| Gate drain charge nc | 29 |
| Входная ёмкость, пФ | 1200 |
| Total gate charge nc | 63 |
| Gate source charge nc | 13 |
| Выходная ёмкость, пФ | 520 |
| Температура пайки | 300°C for 10s |
| Температура хранения | -55 to +175 |
| Turn on delay time ns | 14 |
| Drain source voltage v | -55 |
| Коэффициент снижения мощности | 0.71W/°C |
| Mounting torque lbf in | 10 (1.1 N·m) |
| Pulsed drain current a | -110 |
| Turn off delay time ns | 39 |
| Pulsed source current a | -110 |
| Температура пайки | 300 for 10 seconds |
| Gate threshold voltage v | -2.0 to -4.0 |
| Время обратного восстановления trr, нс | 71 |
| Gate source voltage max v | ±20 |
| Forward transconductance s | 8.0 |
| Reverse recovery charge nc | 170 |
| Continuous source current a | -31 |
| Continuous drain current 25c a | -31 |
| Linear derating factor w per c | 0.71 |
| Repetitive avalanche energy mj | 11 |
| Continuous drain current 100c a | -22 |
| Reverse transfer capacitance pf | 250 |
| Operating junction temperature c | -55 to +175 |
| Single pulse avalanche energy mj | 280 |
| Peak diode recovery dvdt v per ns | -5.0 |
| Source drain diode forward voltage v | -1.3 |
| Thermal resistance junction case c per w | 1.4 |
| Thermal resistance junction ambient pcb c per w | 50 |
| Thermal resistance junction ambient socket c per w | 110 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?