Документация
Транзистор IRFR5305TRPBF
В наличии
На своём складе
446 шт.
Норм. уп.: 980
У поставщиков
760 шт.
Норм. уп.: 980
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 10 | 31,53 |
| от 20 | 30,65 |
| от 40 | 29,77 |
| от 80 | 29,11 |
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:760 шт
Срок поставки: до 2 недель
Норм. уп.: 980
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 10 | 31,53 |
| от 20 | 30,65 |
| от 40 | 29,77 |
| от 80 | 29,11 |
Описание
Транзистор Infineon IRFR5305TRPBF — P-канальный MOSFET с рассеиваемой мощностью до 110 Вт. Выполнен в поверхностном корпусе TO-252-3, рассчитан на работу в диапазоне температур от -55 до +175 °С. Подходит для схем управления нагрузкой в промышленной автоматике и силовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | MOSFET |
| Мощность, Вт | рассеиваемая (Pd) - 110 Вт |
| Вес | 0.64 |
| В упаковке | REEL, 2000 шт. |
| Монтаж | поверхностный (SMT) |
| Корпус | TO-252-3 |
| Рабочая температура | -55…+175 °С |