Документация
Транзистор IRFR5305TRPBF
В наличии
На своём складе
346 шт.
Норм. уп.: 980
У поставщиков
74 375 шт.
Норм. уп.: 980
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 10 | 35,32 |
| от 20 | 34,33 |
| от 40 | 33,34 |
| от 80 | 32,60 |
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:640 шт
Срок поставки: до 2 недель
Норм. уп.: 980
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 10 | 35,32 |
| от 20 | 34,33 |
| от 40 | 33,34 |
| от 80 | 32,60 |
Склад 13
В наличии:73 735 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2000
Минимальная партия: 20 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 37,27 |
| от 191 | 34,45 |
| от 382 | 32,57 |
| от 763 | 30,90 |
| от 2 000 | 29,80 |
Описание
Транзистор Infineon IRFR5305TRPBF — P-канальный MOSFET с рассеиваемой мощностью до 110 Вт. Выполнен в поверхностном корпусе TO-252-3, рассчитан на работу в диапазоне температур от -55 до +175 °С. Подходит для схем управления нагрузкой в промышленной автоматике и силовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | MOSFET |
| Тип | P-channel Power MOSFET |
| Мощность, Вт | рассеиваемая (Pd) - 110 Вт |
| Вес | 0.64 |
| В упаковке | REEL, 2000 шт. |
| Монтаж | поверхностный (SMT) |
| Корпус | TO-252 (D-Pak) |
| Тип монтажа | SMD |
| Корпус | TO-252-3 |
| Без свинца | Да |
| Рабочая температура | -55…+175 °С |
| Fall time ns | 63 |
| Rise time ns | 66 |
| Корпус | TO-252 |
| On resistance ohm | 0.065 |
| Avalanche current a | -16 |
| Power dissipation w | 110 |
| Gate drain charge nc | 29 |
| Input capacitance pf | 1200 |
| Total gate charge nc | 63 |
| Gate source charge nc | 13 |
| Output capacitance pf | 520 |
| Температура хранения | -55 to +175 |
| Turn on delay time ns | 14 |
| Drain source voltage v | -55 |
| Mounting torque lbf in | 10 (1.1 N·m) |
| Pulsed drain current a | -110 |
| Turn off delay time ns | 39 |
| Pulsed source current a | -110 |
| Температура пайки | 300 for 10 seconds |
| Gate threshold voltage v | -2.0 to -4.0 |
| Reverse recovery time ns | 71 |
| Gate source voltage max v | ±20 |
| Forward transconductance s | 8.0 |
| Reverse recovery charge nc | 170 |
| Continuous source current a | -31 |
| Continuous drain current 25c a | -31 |
| Linear derating factor w per c | 0.71 |
| Repetitive avalanche energy mj | 11 |
| Continuous drain current 100c a | -22 |
| Reverse transfer capacitance pf | 250 |
| Operating junction temperature c | -55 to +175 |
| Single pulse avalanche energy mj | 280 |
| Peak diode recovery dvdt v per ns | -5.0 |
| Source drain diode forward voltage v | -1.3 |
| Thermal resistance junction case c per w | 1.4 |
| Thermal resistance junction ambient pcb c per w | 50 |
| Thermal resistance junction ambient socket c per w | 110 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?