Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.4А 42Вт, 3.0 Ом
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
3 900 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 12срок до недели
Цена за шт85,87 ₽
Сумма42 935,00 ₽
В наличии3 900 шт
от 500 штюрлицам и ИП
500 шт · Склад 12 · 42 935,00 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от Vishay работает с напряжением до 500 В и током до 2,4 А. Мощность рассеивания составляет 42 Вт, сопротивление открытого канала — 3,0 Ом. Компонент выпускается в компактном корпусе DPAK (TO-252AA). Подходит для импульсных источников питания и схем управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Тип монтажа | SMD |
| Тип вывода | поверхностный монтаж |
| Описание | N-channel MOSFET, 500V, 2.4A, 42W, 3.0 Ohm |
| Артикул | IRFR420PBF |
| Тип. время спада | 16ns |
| Тип. время нарастания | 8.6ns |
| Лавинный ток | 2.4A |
| Структура | N-канал |
| Импульсный ток стока | 8.0A |
| Тип. заряд затвор-сток | 13nC |
| Тип. входная емкость | 360pF |
| Импульсный ток истока | 8.0A |
| Температура пайки | 260°C |
| Тип. заряд затвора | 19nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 3.3nC |
| Выходная емкость тип. | 92pF |
| Время задержки вкл. тип. | 8.0ns |
| Available tape and reel | Да |
| Энергия лавины (одиночная) | 400mJ |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Время задержки выкл. тип. | 33ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Макс. напряжение сток-исток | 500V |
| Длительный ток истока | 2.4A |
| Напр. диода макс. | 1.6V |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 3.5V/ns |
| Макс. время обрат. восстановления | 520ns |
| Reverse recovery time min | 260ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.0V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Коэфф. линейного снижения нагрузки на PCB | 0.020W/°C |
| Рассеиваемая мощность при корпусе 25 °C | 42W |
| Повторяющаяся энергия лавины | 4.2mJ |
| Линейный коэффициент снижения для корпуса | 0.33W/°C |
| Макс. заряд обратного восстановления | 1.4µC |
| Reverse recovery charge min | 0.70µC |
| Непрерывный ток стока, 25 °C | 2.4A |
| Мин. прямая крутизна | 1.5S |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
| Непрерывный ток стока при 100 °C | 1.5A |
| Внутр. индуктивность стока | 4.5nH |
| Напряжение пробоя сток-исток | 500V |
| Внутренняя индуктивность истока, тип. | 7.5nH |
| Макс. прямой ток утечки затвор-исток | 100nA |
| Макс. обратный ток утечки затвор-исток | -100nA |
| Обр. проходная емкость тип. | 37pF |
| Power dissipation ambient pcb 25c | 2.5W |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 0.59V/°C |
| Макс. ток утечки сток-исток, 25 °C | 25µA |
| Drain source leakage current max 125c | 250µA |
| Макс. сопротивление сток-исток вкл. | 3.0Ω |
| Макс. тепловое сопротивление переход-корпус | 3.0°C/W |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 110°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient pcb max | 50°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 42 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?