+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
IRFR3709ZTRPBF
Документация

Транзистор IRFR3709ZTRPBF

Артикул:95289
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы
Ед. изм.шт
У поставщиков
2 356 шт.
Норм. уп.: 2000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 356 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2000
Минимальная партия: 16 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 143,56
от 1642,41
от 3240,80
от 6338,44
от 12635,63
Описание

Транзистор IRFR3709ZTRPBF производства Infineon Technologies — это мощный N-канальный MOSFET, выполненный в корпусе D-Pak (TO-252). Компонент оптимизирован для работы в цепях с низким сопротивлением открытого канала, что обеспечивает высокую эффективность преобразования. Применяется в импульсных источниках питания, DC/DC-преобразователях и системах управления нагрузкой.

Технические характеристики
Tstg-55 to +175°C
Id 25c86A
Рассеиваемая мощность при 25°C79W
Макс. заряд затвора26nC
Тип. заряд затвора17nC
Tf тип.3.9ns
Tr тип.12ns
Ear max7.9mJ
Eas max100mJ
Gfs min51S
Iar max12A
Id 100c61A
КорпусD-Pak (TO-252), I-Pak (TO-251)
Pd 100c39W
Qgd тип.5.7nC
Qrr max37nC
Qrr тип.25nC
Qsw typ7.3nC
Макс. время обратного восстановления44ns
Trr тип.29ns
Vsd макс.1.0V
Тип. Ciss2330pF
Coss тип.460pF
Тип. Crss230pF
ОсобенностиLead-Free, Very Low RDS(on) at 4.5V VGS, Ultra-Low Gate Impedance, Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
Idss макс.1.0µA
Тип монтажаSMD
Qgs1 typ4.7nC
Qgs2 typ1.6nC
Qoss typ10nC
V gs max±20V
Qgodr typ5.0nC
Rthja max110°C/W
Rthjc max1.9°C/W
Td(вкл) тип.12ns
V dss max30V
Bv dss min30V
Idm импульсный340A
Ism pulsed340A
Rds on 10v6.5mΩ
Td(выкл) тип.15ns
ТехнологияHEXFET Power MOSFET
Vgs порог макс.2.25V
Vgs порог мин.1.35V
Vgs(th) тип.1.80V
ОписаниеHEXFET Power MOSFET
АртикулIRFR3709ZPbF
Rds on 4 5v8.2mΩ
ПрименениеHigh Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power, High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use
Channel typeN-Channel
Igss fwd max100nA
Igss rev max-100nA
Tj operating-55 to +175°C
Idss 150c max150µA
Непрерывный86A
Rthja pcb max50°C/W
Темп. пайки300°C for 10 seconds (1.6mm from case)
Bv dss temp coeff22mV/°C
Vgs th temp coeff-5.6mV/°C
Коэффициент снижения мощности0.53W/°C
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Описание (англ.)MOSFET N-CH 30V 86A DPAK

Заметили ошибку в описании или параметрах?