Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 86A DPAK
У поставщика
ПроизводительUMW-Youtai
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
78 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:78 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 48 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 14,51 |
| от 25 | 13,75 |
| от 44 | 12,82 |
| от 87 | 11,98 |
| от 174 | 11,24 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от UMW-Youtai. Компонент рассчитан на напряжение 30 В и ток до 86 А, выпускается в корпусе TO-252 (DPAK) на ленте. Подходит для цепей питания, преобразователей и коммутации нагрузки в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Ток, А | 340 |
| Корпус | TO-252 |
| Напряжение, В | 20 |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 3.9ns |
| Время нарастания | 12ns |
| Артикул | IRFR3709Z |
| On resistance | At 10V: 5.2mΩ typ, 6.5mΩ max; At 4.5V: 6.5mΩ typ, 8.2mΩ max |
| Output charge | 10nC |
| Switch charge | 7.3nC |
| Лавинный ток | 12A |
| Вх. емкость | 2330pF |
| Рассеиваемая мощность | At 25C: 79W; At 100C: 39W |
| Темп. диапазон | Storage: -55 to 175°C; Operating junction: -55 to 175°C |
| Полный заряд затвора | 17nC typ, 26nC max |
| Выходная емкость | 460pF |
| Тепловое сопротивление | Junction to case: 1.9°C/W; Junction to ambient: 110°C/W; Junction to ambient pcb mount: 50°C/W |
| Время задержки включения | 12ns |
| Время задержки выключения | 15ns |
| Gate leakage current | 100nA max at 20V |
| Gate to drain charge | 5.7nC |
| Напр. диода | 1.0V max |
| Drain leakage current | 1.0µA max at 24V |
| Gate charge overdrive | 5.0nC |
| Время обратного восстановления | 29ns typ, 44ns max |
| Температура пайки | 300°C for 10 seconds |
| Gate threshold voltage | 1.35V min, 1.80V typ, 2.25V max |
| Коэффициент снижения мощности | 0.53W/°C |
| Заряд обратного восстановления | 25nC typ, 37nC max |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 51S |
| Энергия лавины | 7.9mJ |
| Обратная проходная емкость | 230pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 30V 86A DPAK |
| Avalanche energy single pulse | 100mJ |
| Gate to source charge pre vth | 4.7nC |
| Gate to source charge post vth | 1.6nC |
| Gate threshold voltage coefficient | -5.6mV/°C |
| Breakdown voltage temperature coefficient | 22mV/°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?