+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В

Транзисторы и сборки MOSFET IRFR120Z

Артикул:322239
У поставщика
ПроизводительEVVO
У поставщиков
5 440 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:5 440 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 16,09
Описание

N-канальный MOSFET-транзистор от EVVO в корпусе DPAK (TO-252) для поверхностного монтажа. Рассчитан на напряжение сток-исток 100 В и постоянный ток до 8.7 А, максимальная рассеиваемая мощность — 35 Вт. Отличается низким сопротивлением открытого канала (190 мОм) и широким рабочим диапазоном температур от -55 до +175 °C. Подходит для импульсных источников питания, цепей коммутации нагрузки и силовой электроники.

Технические характеристики
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
ОписаниеMOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max)35W (Tc)
Supplier Device PackageTO-252AA (DPAK)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds310 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.7A (Tc)

Заметили ошибку в описании или параметрах?