Документация
Транзистор полевой IRFP9240PBF
У поставщика
У поставщиков
583 шт.
Норм. уп.: 25
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:583 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 25
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 228,05 |
| от 19 | 215,40 |
| от 50 | 205,34 |
| от 75 | 196,51 |
| от 150 | 190,56 |
Описание
Транзистор полевой IRFP9240PBF от Vishay — P-канальный MOSFET в корпусе TO-247. Рассчитан на напряжение до 200 В и ток до 12 А. Подходит для импульсных источников питания и силовой коммутации в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel Power MOSFET |
| Корпус | TO247 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 38ns |
| Время нарастания | 43ns |
| Артикул | IRFP9240PBF |
| Момент затяжки | 10 lbf·in / 1.1 N·m |
| Описание | MOSFETs TO247 200V 12A P-CH MOSFET |
| Заряд сток-затвор | 27nC |
| Вх. емкость | 1200pF |
| Body diode voltage | -5.0V |
| Заряд затвор-исток | 7.1nC |
| Выходная емкость | 370pF |
| Время задержки включения | 14ns |
| Время задержки выключения | 39ns |
| Импульсный ток стока | -48A |
| Мин. пробойное напр. | -200V |
| Заряд затвора макс. | 44nC |
| Коэффициент снижения мощности | 1.2W/°C |
| Gate source leakage max | ±100nA |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Макс. напряжение сток-исток | -200V |
| Internal drain inductance | 5.0nH |
| Maximum power dissipation | 150W |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 5.0V/ns |
| Температура пайки макс. | 300°C |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.0V |
| Internal source inductance | 13nH |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Энергия лавины | 15mJ |
| Temperature coefficient vds | 0.20V/°C |
| Forward transconductance min | 4.2S |
| Repetitive avalanche current | -12A |
| Обратная проходная емкость | 81pF |
| Энергия одиноч. импульса | 790mJ |
| Макс. Rси вкл. | 0.50Ω |
| Continuous drain current at 25c | -12A |
| Continuous drain current at 100c | -7.5A |
| Pulsed source drain diode current | -48A |
| Тип. тепловое сопротивление корпус-радиатор | 0.24°C/W |
| Body diode reverse recovery time max | 300ns |
| Body diode reverse recovery time typ | 250ns |
| Continuous source drain diode current | -12A |
| Body diode reverse recovery charge max | 3.6μC |
| Body diode reverse recovery charge typ | 2.9μC |
| Макс. тепловое сопротивление переход-корпус | 0.83°C/W |
| Zero gate voltage drain current max 25c | 100μA |
| Zero gate voltage drain current max 125c | 500μA |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 40°C/W |
| Напряжение, В | 200 |
| Ток, А | 12 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?