+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В

ТРАНЗИСТОРЫ IRFP7718PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies,75В, 195А, 517Вт, корпус TO-247-3 IRFP7718PBF

Артикул:1201017
У поставщика
У поставщиков
200 шт.
Норм. уп.: 5
Цены поставщиков
Склад 15
В наличии:200 шт
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 5
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 5388,28
Описание

Полевой N-канальный MOSFET-транзистор Infineon Technologies рассчитан на напряжение 75 В и ток до 195 А. Модель отличается низким сопротивлением открытого канала (1,8 мОм) и максимальной рассеиваемой мощностью 517 Вт, выпускается в корпусе TO-247-3. Применяется в мощных импульсных источниках питания, преобразователях напряжения и промышленной автоматике.

Технические характеристики
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-3
ОписаниеMOSFET N-CH 75V 195A TO247AC
Vgs(th) (Max) @ Id3.7V @ 250µA
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max)517W (Tc)
Supplier Device PackageTO-247AC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs830 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds29550 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C195A (Tc)
ТипMOSFET

Заметили ошибку в описании или параметрах?