Документация
ТРАНЗИСТОРЫ IRFP7718PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies,75В, 195А, 517Вт, корпус TO-247-3
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
380 шт.
Норм. уп.: 25
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:380 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 25
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 544,54 |
| от 3 | 538,23 |
| от 6 | 530,41 |
| от 12 | 520,09 |
| от 25 | 505,63 |
Описание
Полевой N-канальный MOSFET-транзистор производства Infineon Technologies. Компонент рассчитан на напряжение до 75 В и ток до 195 А, что делает его подходящим для мощных импульсных источников питания и преобразователей. Выполнен в корпусе TO-247-3, обеспечивающем эффективный отвод тепла при высокой рассеиваемой мощности.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel Power MOSFET |
| Корпус | TO-247-3 |
| FET Type | N-Channel |
| Тип монтажа | Выводной |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Время спада | 160ns |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 164ns |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Технология | HEXFET |
| Применение | Brushed Motor drive, BLDC Motor drive, Battery powered circuits, Half-bridge and full-bridge topologies, Synchronous rectifier, Resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/DC and AC/DC converters, DC/AC Inverters |
| Артикул | IRFP7718PbF |
| Mounting Type | Through Hole |
| Standard pack | трубка |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Gate resistance | 0.9Ω |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m) |
| Описание | MOSFET N-CH 75V 195A TO247AC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
| Время задержки включения | 58ns |
| Время задержки выключения | 266ns |
| Total gate charge qg | 552nC |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Напр. диода | 1.3V |
| Orderable part number | IRFP7718PbF |
| Температура пайки | 300°C |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 100A, 10V |
| Input capacitance ciss | 29550pF |
| Коэффициент снижения мощности | 3.5W/°C |
| Total gate charge sync | 384nC |
| Power Dissipation (Max) | 517W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Output capacitance coss | 2270pF |
| Diode peak recovery dvdt | 8.6V/ns |
| Прямая крутизна | 420S |
| Gate to drain charge qgd | 168nC |
| Pulsed drain current idm | 1590A |
| Reverse recovery current | 4.8A |
| Gate to source charge qgs | 119nC |
| Max power dissipation 25c | 517W |
| Reverse recovery time 25c | 75ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to 175°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 3.7V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.1V |
| Reverse recovery time 125c | 80ns |
| Diode pulsed source current | 1590A |
| Прямой ток утечки затвор-исток | 100nA |
| Обратный ток утечки затвор-исток | -100nA |
| Gate source voltage vgs max | ±20V |
| Reverse recovery charge 25c | 208nC |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 830 nC @ 10 V |
| Drain source voltage vds max | 75V |
| Reverse recovery charge 125c | 251nC |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Diode continuous source current | 355A |
| Тепл. сопр. корпус-рад. | 0.24°C/W |
| Ток утечки сток-исток при 25°C | 1.0µA |
| Drain source leakage current 125c | 150µA |
| Reverse transfer capacitance crss | 1395pF |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Single pulse avalanche energy eas 1 | 1160mJ |
| Single pulse avalanche energy eas 2 | 2004mJ |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 0.29°C/W |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 29550 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Термосопротивление переход-среда | 40°C/W |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 195A (Tc) |
| Static drain source on resistance typ 6v | 1.60mΩ |
| Effective output capacitance time related | 2560pF |
| Static drain source on resistance max 10v | 1.80mΩ |
| Static drain source on resistance typ 10v | 1.45mΩ |
| Effective output capacitance energy related | 2010pF |
| Continuous drain current package limited 25c | 195A |
| Continuous drain current silicon limited 25c | 355A |
| Continuous drain current silicon limited 100c | 250A |
| Ёмкость, мкФ | 0,02955 |
| Мощность, Вт | 517 |
| Напряжение, В | 75 |
| Ток, А | 195 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?