Документация
Транзистор IRFP4768PBF
У поставщика
У поставщиков
1 185 шт.
Норм. уп.: 25
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 681,63 |
| от 4 | 671,46 |
| от 8 | 666,37 |
| от 15 | 661,28 |
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:2 шт
Срок поставки: до 2 недель
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 681,63 |
| от 4 | 671,46 |
| от 8 | 666,37 |
| от 15 | 661,28 |
Склад 13
В наличии:1 183 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 25
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 213,98 |
| от 25 | 201,80 |
| от 50 | 192,12 |
| от 100 | 183,62 |
| от 175 | 177,88 |
Описание
Транзистор IRFP4768PBF от Infineon — мощный N-канальный MOSFET, выполненный в корпусе TO-247. Отличается сверхнизким сопротивлением открытого канала, что обеспечивает высокую эффективность при больших токах. Предназначен для использования в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения и системах управления двигателями.
Технические характеристики
| Тип | Power MOSFET |
| Pd макс. | 520W |
| Тип | MOSFET |
| Ток, А | 93 А |
| Корпус | TO-247AC |
| Макс. Vds | 250V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Тип монтажа | Выводной |
| Date code | 02/26/09 |
| Время спада | 110ns |
| Ток стока импульсный | 370A |
| Без свинца | Да |
| Rdson max | 17.5 mΩ |
| Rdson typ | 14.5 mΩ |
| Время нарастания | 160ns |
| Описание | HEXFET Power MOSFET |
| Артикул | IRFP4768PBF |
| Channel type | N-Channel |
| Производитель | Infineon (IRF) |
| Тип. время спада | 110 ns |
| Тип. время нарастания | 160 ns |
| Темп. пайки | 300°C for 10s |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m) |
| Мощность, Вт | 375 |
| Лавинный ток | 56A (test condition) |
| Ток стока непрерывный 25C | 93A |
| Вх. емкость | 10880pF |
| Макс. пороговое Vgs | 5.0V |
| Мин. пороговое Vgs | 3.0V |
| Заряд затвор-исток | 52nC |
| Непрерывный ток 100°C | 66A |
| Выходная емкость | 700pF |
| Диапазон температур хранения | -55 to +175°C |
| Время задержки включения | 36ns |
| Структура | N-канал |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 57ns |
| Напряжение сток-исток | 250V |
| Forward turn on time | negligible |
| Импульсный ток стока | 370A |
| Sync gate charge typ | 108 nC |
| Напряжение, В | 100 В |
| Diode test conditions | Is=56A, Vgs=0V, Tj=25°C |
| Drain leakage 25c max | 20 µA |
| Тип. заряд затвор-сток | 72 nC |
| Тип. входная емкость | 10880 pF |
| Мощн. рас. 25°C | 520W |
| Pulsed source current | 370A |
| Rdson test conditions | Vgs=10V, Id=56A |
| Температура пайки | 300°C for 10s |
| Заряд затвора макс. | 270 nC |
| Тип. заряд затвора | 180 nC |
| Drain leakage 125c max | 250 µA |
| Тип. заряд затвор-исток | 52 nC |
| Коэффициент снижения мощности | 3.4W/°C |
| Выходная емкость тип. | 700 pF |
| Total gate charge sync | 108nC |
| Время задержки вкл. тип. | 36 ns |
| Время задержки выкл. тип. | 57 ns |
| Gate drain miller charge | 72nC |
| Gate leakage forward max | 100 nA |
| Gate leakage reverse max | -100 nA |
| Internal gate resistance | 0.71Ohm |
| Reverse recovery current | 16A |
| Continuous source current | 93A |
| Coss eff time related typ | 830 pF |
| Напр. диода макс. | 1.3V |
| Dv dt peak diode recovery | 24 V/ns |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 24V/ns |
| Reverse recovery time 25c | 180ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +175°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 5.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3.0V |
| Reverse recovery time 125c | 200ns |
| Coss eff energy related typ | 510 pF |
| Diode pulsed source current | 370A |
| Operating junction temp max | 175°C |
| Operating junction temp min | -55°C |
| Reverse recovery charge 25c | 1480nC |
| Breakdown voltage temp coeff | 0.20 V/°C |
| Длительный ток стока 25°C | 93A |
| Forward transconductance min | 100S |
| Forward transconductance typ | 100 S |
| Internal gate resistance typ | 0.71 Ω |
| Reverse recovery charge 125c | 2260nC |
| Reverse recovery current typ | 16A |
| Обратная проходная емкость | 210pF |
| Avalanche energy single pulse | 770 mJ |
| Непрерывный ток стока 100°C | 66A |
| Reverse recovery time typ 25c | 180 ns |
| Энергия одиноч. импульса | 770mJ |
| Макс. Rси вкл. | 17.5mOhm |
| Drain source on resistance typ | 14.5mOhm |
| Рабочая температура перехода | -55 to +175°C |
| Reverse recovery time typ 125c | 200 ns |
| Case to sink thermal resistance | 0.24°C/W |
| Diode continuous source current | 93A |
| Gate source forward leakage max | 100nA |
| Gate source reverse leakage max | -100nA |
| Reverse recovery charge typ 25c | 1480 nC |
| Drain source leakage current max | 20µA |
| Reverse recovery charge typ 125c | 2260 nC |
| Обр. проходная емкость тип. | 210 pF |
| Thermal resistance case sink typ | 0.24 °C/W |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 0.20V/°C |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | 250V |
| Thermal resistance junction case max | 0.29 °C/W |
| Drain source leakage current 125c max | 250µA |
| Junction to case thermal resistance max | 0.29°C/W |
| Thermal resistance junction ambient max | 40 °C/W |
| Effective output capacitance time related | 830pF |
| Junction to ambient thermal resistance max | 40°C/W |
| Effective output capacitance energy related | 510pF |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 93 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 520 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?