+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
IRFP4668PBF
Документация

Транзистор IRFP4668PBF

Артикул:95010
У поставщика
ПроизводительInfineon
Ед. изм.шт
У поставщиков
2 349 шт.
Норм. уп.: 10
Цены (собственный склад)
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1247,62
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:2 шт
Срок поставки: до 2 недель
Норм. уп.: 10
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1247,62
Склад 13
В наличии:2 347 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 25
Минимальная партия: 4 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1248,06
от 50235,52
от 75227,13
от 150219,74
от 275214,76
Описание

Транзистор IRFP4668PBF производства Infineon — мощный N-канальный MOSFET, выполненный в корпусе TO-247. Отличается сверхнизким сопротивлением открытого канала и способностью коммутировать высокие токи. Предназначен для использования в импульсных источниках питания, преобразователях и системах управления двигателями.

Технические характеристики
ТипMOSFET
Ток, А130 А
КорпусTO-247AC
Тип монтажаВыводной
ОписаниеHEXFET Power MOSFET
АртикулIRFP4668PbF
Channel typeN-Channel
Тип. время спада74 ns
Тип. время нарастания105 ns
Момент затяжки10 lb·in (1.1 N·m)
Мощность, Вт520
Лавинный токSee Fig. 14, 15, 22a, 22b A
СтруктураN-канал
Напряжение затвор-исток±30V
Напряжение сток-исток200V
Forward turn on timeIntrinsic turn-on time is negligible
Импульсный ток стока520A
Напряжение, В200 В
Тип. входная емкость10720 pF
Мощн. рас. 25°C520W
Pulsed source current520A
Температура пайки300 °C for 10 seconds (1.6mm from case)
Заряд затвора макс.241 nC
Тип. заряд затвора161 nC
Коэффициент снижения мощности3.5 W/°C
Выходная емкость тип.810 pF
Время задержки вкл. тип.41 ns
Время задержки выкл. тип.64 ns
Continuous source current130A
Напр. диода макс.1.3V
Gate to source charge typ54 nC
Пиковое dv/dt восстановления диода57 V/ns
Диап. темп. хр.-55 to +175 °C
Пороговое напряжение затвора макс.5.0V
Пороговое напряжение затвора мин.3.0V
Total gate charge sync typ109 nC
Энергия лавиныmJ
Длительный ток стока 25°C130A
Forward transconductance min150 S
Internal gate resistance typ1.0 Ω
Reverse recovery current typ8.7 A
Непрерывный ток стока 100°C92A
Reverse recovery time 25c typ130 ns
Энергия одиноч. импульса760 mJ
Рабочая температура перехода-55 to +175 °C
Reverse recovery time 125c typ155 ns
Gate source forward leakage max100 nA
Gate source reverse leakage max-100 nA
Gate to drain miller charge typ52 nC
Reverse recovery charge 25c typ633 nC
Drain source leakage current max20 μA
Reverse recovery charge 125c typ944 nC
Обр. проходная емкость тип.160 pF
Мин. напряжение сток-исток пробоя200V
Тип. тепловое сопротивление корпус-радиатор0.24 °C/W
Drain source leakage current 125c max250 μA
Макс. сопротивление сток-исток вкл.9.7 mΩ
Тип. сопротивление сток-исток8.0 mΩ
Breakdown voltage temp coefficient typ0.21 V/°C
Макс. тепловое сопротивление переход-корпус0.29 °C/W
Макс. тепловое сопр. переход-среда40 °C/W
Effective output capacitance time related typ790 pF
Effective output capacitance energy related typ630 pF
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А130
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт520

Заметили ошибку в описании или параметрах?