Документация
Транзистор IRFP4668
У поставщика
У поставщиков
90 шт.
Цены поставщиков
Склад 15
В наличии:90 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 5 | 215,13 |
Описание
Транзистор IRFP4668 от JSMSEMI — это мощный N-канальный MOSFET в корпусе TO-247. Компонент рассчитан на напряжение до 220 В и непрерывный ток 130 А, отличается низким сопротивлением открытого канала (12 мОм) и быстрым переключением. Применяется в импульсных источниках питания (SMPS), источниках бесперебойного питания (UPS) и схемах коррекции коэффициента мощности (PFC).
Технические характеристики
| Контактов | 3 |
| Тип | N-Channel MOSFET |
| Корпус | TO-247 |
| Особенности | [ "Fast switching", "100% avalanche tested", "Improved dv/dt capability" ] |
| Наименование | IRFP4668PBF |
| Применение | [ "Switch Mode Power Supply (SMPS)", "Uninterruptible Power Supply (UPS)", "Power Factor Correction (PFC)" ] |
| Конфиг. выводов | { "pin1": "G (Gate)", "pin2": "D (Drain)", "pin3": "S (Source)" } |
| Тепловое сопротивление | { "rtheta_ja": "60°C/W", "rtheta_jc": "0.89°C/W" } |
| Static specifications | { "igss": "±100nA", "rds_on": "12mΩ", "vgs_th": "2.0 to 4.0V", "ioss_40v": "1µA", "ioss_32v_125c": "100µA", "vbreakdown_dss": "220V" } |
| Dynamic specifications | { "qg": "367nC", "tf": "367ns", "tr": "165ns", "qgd": "177nC", "qgs": "33.8nC", "ciss": "5784pF", "coss": "893pF", "crss": "561pF", "td_on": "55ns", "td_off": "1050ns" } |
| Предельные значения | { "p0": "700W", "ear": "1176.1mJ", "eas": "1960.2mJ", "ias": "19.8A", "vgs": "±20V", "dvdt": "5.0V/ns", "vdss": "220V", "tj_tg": "-55 to +150°C", "id_pulsed": "530A", "id_continuous": "130A" } |
| Body diode characteristics | { "qrr": "5.61µC", "trr": "360ns", "vsd": "1.4V", "ism_pulsed": "530A", "is_continuous": "130A" } |