Документация
Силовой транзистор IRFP450APBF
У поставщика
У поставщиков
149 шт.
Цены поставщиков
Склад 15
В наличии:145 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 5 | 156,25 |
Склад 7
В наличии:4 шт
Цена по запросуТехнические характеристики
| Тип | Power MOSFET |
| Корпус | TO-247AC |
| Тип монтажа | THT |
| Полярность | N-Channel |
| Без свинца | true |
| Шаг выводов | 5.46 mm BSC |
| Конфигурация | Single |
| Диаметр вывода | 0.99 to 1.40 mm |
| Момент затяжки | 10 lbf·in / 1.1 N·m |
| Тип. время спада | 29 ns |
| Тип. время нарастания | 36 ns |
| Package body length | 15.29 to 15.87 mm |
| Импульсный ток стока | 56A |
| Gate drain charge max | 26 nC |
| Макс. рассеиваемая мощность | 190W |
| Заряд затвора макс. | 64 nC |
| Body diode voltage max | 1.4V |
| Gate source charge max | 16 nC |
| Коэффициент снижения мощности | 1.5 W/°C |
| Package body width min | 13.72 mm |
| Package overall height | 4.58 to 5.31 mm |
| Gate source leakage max | ±100 nA |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±30V |
| Макс. напряжение сток-исток | 500V |
| Output capacitance at 1v | 2859 pF |
| Типовая входная емкость | 2038 pF |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 4.1 V/ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150 °C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.0V |
| Output capacitance at 400v | 81 pF |
| Тип. выходная емкость | 307 pF |
| Turn on delay time typical | 15 ns |
| Энергия лавины | 19 mJ |
| Turn off delay time typical | 35 ns |
| Vds temperature coefficient | 0.58 V/°C |
| Effective output capacitance | 96 pF |
| Forward transconductance min | 7.8 S |
| Pulsed diode forward current | 56A |
| Repetitive avalanche current | 14A |
| Энергия одиноч. импульса | 760 mJ |
| Макс. Rси вкл. | 0.40 Ω |
| Continuous drain current at 25c | 14A |
| Continuous drain current at 100c | 8.7A |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | 500V |
| Soldering peak temperature for 10s | 300°C |
| Zero gate voltage drain current max | 25 µA at 500V |
| Body diode reverse recovery time max | 731 ns |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150 °C |
| Reverse transfer capacitance typical | 10 pF |
| Continuous source drain diode current | 14A |
| Body diode reverse recovery charge max | 5.8 µC |
| Thermal resistance case to sink typical | 0.24 °C/W |
| Макс. тепловое сопротивление переход-корпус | 0.65 °C/W |
| Body diode reverse recovery time typical | 487 ns |
| Body diode reverse recovery charge typical | 3.9 µC |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 40 °C/W |
| Zero gate voltage drain current at 125c max | 250 µA at 400V |