Документация
Транзистор IRFP4468PBF
У поставщика
У поставщиков
3 722 шт.
Норм. уп.: 25
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 3 | 231,18 |
| от 6 | 224,48 |
| от 12 | 221,13 |
| от 25 | 217,78 |
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:1 шт
Срок поставки: до 2 недель
Норм. уп.: 25
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 3 | 231,18 |
| от 6 | 224,48 |
| от 12 | 221,13 |
| от 25 | 217,78 |
Склад 13
В наличии:3 721 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 90
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 208,46 |
| от 37 | 197,74 |
| от 90 | 190,57 |
| от 180 | 184,26 |
| от 360 | 180,00 |
Описание
Транзистор IRFP4468PBF от Infineon — мощный N-канальный MOSFET на 100 В. Выдерживает импульсный ток до 1120 А, имеет низкое сопротивление и выпускается в корпусе TO-247AC для монтажа в отверстия. Подходит для импульсных источников питания, преобразователей и силовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | Power MOSFET (N-Channel) |
| V gs | ±20V |
| T stg | -55 to +175°C |
| V dss | 100V |
| Gfs min | 310S |
| P d 25c | 520W |
| Корпус | TO-247AC |
| T f typ | 260ns |
| T r typ | 230ns |
| G fs typ | 310S |
| Тип монтажа | Выводной |
| Q gd typ | 89nC |
| Q gs typ | 81nC |
| V(BR)DSS | 100V |
| V gs max | ±20V |
| V sd max | 1.3V |
| C iss typ | 19860pF |
| C oss typ | 1360pF |
| C rss typ | 540pF |
| I dss max | 20μA |
| I gss max | 100nA |
| I rrm typ | 6.9A |
| I d pulsed | 1120A |
| Q sync typ | 270nC |
| T d on typ | 52ns |
| Описание | HEXFET Power MOSFET |
| I dm pulsed | 1120A |
| I sm pulsed | 1120A |
| Артикул | IRFP4468PBF |
| R ds on max | 2.6mΩ |
| R ds on typ | 2.0mΩ |
| R th cs typ | 0.24°C/W |
| R th ja max | 40°C/W |
| R th jc max | 0.29°C/W |
| R θ cs typ | 0.24 °C/W |
| R θ ja max | 40 °C/W |
| R θ jc max | 0.29 °C/W |
| T d off typ | 160ns |
| V gs th max | 4.0V |
| V gs th min | 2.0V |
| Q rr typ 25c | 370nC |
| R g internal | 0.8Ω |
| T rr typ 25c | 100ns |
| V br dss min | 100V |
| I dss 25c max | 20μA |
| Q g total max | 540nC |
| Q g total typ | 360nC |
| Q rr typ 125c | 420nC |
| T j operating | -55 to +175°C |
| T rr typ 125c | 110ns |
| I dss 125c max | 250μA |
| I s continuous | 290A |
| Коэф. сниж. | 3.4 W/°C |
| Момент затяжки | 10 lb·in (1.1 N·m) |
| C oss eff er typ | 1550pF |
| C oss eff tr typ | 900pF |
| E as single pulse | 740mJ |
| I gss forward max | 100nA |
| I gss reverse max | -100nA |
| R ds on conditions | Vgs=10V, Id=180A |
| I d package limited | 195A |
| V br dss temp coeff | 0.09V/°C |
| I rrm body diode typ | 6.9A |
| I s pulsed body diode | 1120A |
| Макс. рассеиваемая мощность | 520W |
| Температура пайки | 300°C for 10s |
| Коэффициент снижения мощности | 3.4W/°C |
| I d 25c silicon limited | 290A |
| Q rr body diode 25c typ | 370nC |
| T rr body diode 25c typ | 100ns |
| I d 100c silicon limited | 200A |
| Q rr body diode 125c typ | 420nC |
| T rr body diode 125c typ | 110ns |
| Dv dt peak diode recovery | 10 V/ns |
| I d 25c wire bond limited | 195A |
| I s continuous body diode | 290A |
| Temperature range storage | -55°C to +175°C |
| I d continuous package 25c | 195A |
| I d continuous silicon 25c | 290A |
| Temperature range junction | -55°C to +175°C |
| I d continuous silicon 100c | 200A |
| Тип транзистора | Power MOSFET (N-Channel) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?