Документация
Транзистор IRFP4229PBF
У поставщика
У поставщиков
993 шт.
Норм. уп.: 5
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:503 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 25
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 221,97 |
| от 12 | 208,02 |
| от 25 | 196,66 |
| от 50 | 188,20 |
| от 100 | 181,90 |
Склад 12
В наличии:490 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 5
Минимальная партия: 200 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 217,35 |
| от 5 | 151,11 |
| от 50 | 141,45 |
Описание
Транзистор IRFP4229PBF производства Infineon представляет собой мощный N-канальный полевой MOSFET, выполненный в корпусе TO-247. Компонент оптимизирован для работы в импульсных источниках питания и силовых преобразователях, обеспечивая высокую эффективность переключения. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала и высокой пропускной способности по току, подходит для применения в сварочных аппаратах и блоках питания с высокой нагрузкой.
Технические характеристики
| Тип | N-channel HEXFET Power MOSFET |
| Di dt | 100A/µs |
| I s 25c | 44A |
| L d typ | 5.0nH |
| L s typ | 13nH |
| P d 25c | 310W |
| Корпус | TO-247AC |
| Q g max | 110nC |
| Q g typ | 72nC |
| T f typ | 19ns |
| T j max | 175°C |
| T j min | -40°C |
| T r typ | 27ns |
| E ar max | 31mJ |
| E as max | 300mJ |
| G fs min | 83S |
| I as max | 26A |
| Тип монтажа | Выводной |
| P d 100c | 150W |
| Полярность | N-channel |
| Q gd typ | 26nC |
| Q rr max | 1260nC |
| Q rr typ | 840nC |
| T rr max | 290ns |
| T rr typ | 190ns |
| T st min | 100ns |
| V ds min | 250V |
| V gs max | ±30V |
| V sd max | 1.3V |
| C iss typ | 4560pF |
| C oss typ | 390pF |
| C rss typ | 100pF |
| Время спада | 19ns |
| I rp 100c | 87A |
| Время нарастания | 27ns |
| Bv dss min | 250V |
| T d on typ | 25ns |
| Описание | HEXFET Power MOSFET |
| E pulse 25c | 790µJ |
| I d max 25c | 44A |
| I dm pulsed | 180A |
| I sm pulsed | 180A |
| Артикул | IRFP4229PBF |
| R ds on max | 46mΩ |
| R ds on typ | 38mΩ |
| R th cs typ | 0.24°C/W |
| R th ja max | 40°C/W |
| R th jc max | 0.49°C/W |
| T d off typ | 44ns |
| T stg range | -40 to +175°C |
| V gs th max | 5.0V |
| V gs th min | 3.0V |
| Channel type | N-Channel |
| E pulse 100c | 1390µJ |
| I d max 100c | 31A |
| C oss eff typ | 290pF |
| Тип. время спада | 19 ns |
| I dss max 25c | 20µA |
| Тип. время нарастания | 27 ns |
| Тип компонента | N-Channel Power MOSFET |
| I dss max 125c | 1.0mA |
| Момент затяжки | 10 lb·in (1.1 N·m) |
| Bv dss temp coeff | 210mV/°C |
| I gss forward max | 100nA |
| I gss reverse max | -100nA |
| Вх. емкость | 4560pF |
| Выходная емкость | 390pF |
| R ds on conditions | V_GS=10V, I_D=26A |
| Время задержки включения | 25ns |
| V ds typ avalanche | 300V |
| V gs th temp coeff | -14mV/°C |
| Время задержки выключения | 44ns |
| Импульсный ток стока | 180A |
| Avalanche current max | 26A |
| Avalanche voltage typ | 300V |
| Тип. заряд затвор-сток | 26nC |
| Тип. входная емкость | 4560 pF |
| Power dissipation 25C | 310W |
| Температура пайки | 300°C for 10 seconds |
| Заряд затвора макс. | 110nC |
| Тип. заряд затвора | 72nC |
| Коэффициент снижения мощности | 2.0W/°C |
| Выходная емкость тип. | 390 pF |
| Power dissipation 100C | 150W |
| Время задержки вкл. тип. | 25 ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±30V |
| Время задержки выкл. тип. | 44 ns |
| Drain source leakage 25C | 20µA |
| Drain source voltage min | 250V |
| Energy per pulse typ 25C | 790µJ |
| Прямая крутизна | 83S |
| Max drain source voltage | 250V |
| Power dissipation at 25C | 310W |
| Pulsed drain current max | 180A |
| Напр. диода макс. | 1.3V |
| Drain source leakage 125C | 1mA |
| Energy per pulse typ 100C | 1390µJ |
| Internal drain inductance | 5.0nH |
| Power dissipation at 100C | 150W |
| Макс. время обрат. восстановления | 290ns |
| Тип. время восст. | 190ns |
| Диап. темп. хр. | -40 to 175°C |
| V ds avalanche repetitive | 300V |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 5.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3.0V |
| Internal source inductance | 13nH |
| Key optimized applications | PDP Sustain, Energy Recovery and Pass Switch |
| Прямой ток утечки затвор-исток | 100nA |
| Обратный ток утечки затвор-исток | -100nA |
| Reverse recovery charge max | 1260nC |
| Тип. заряд восст. | 840nC |
| Continuous drain current 25C | 44A |
| Effective output capacitance | 290pF |
| Forward transconductance min | 83 S |
| Repetitive peak current 100C | 87A |
| Обратная проходная емкость | 100pF |
| Continuous drain current 100C | 31A |
| Внутр. индуктивность стока | 5.0 nH |
| Макс. Rси вкл. | 46mΩ |
| Drain source on resistance typ | 38mΩ |
| Internal source inductance typ | 13 nH |
| Continuous drain current at 25C | 44A |
| Repetitive avalanche energy max | 31mJ |
| Repetitive peak current at 100C | 87A |
| Shoot through blocking time min | 100ns |
| Continuous drain current at 100C | 31A |
| Effective output capacitance typ | 290 pF |
| Pulsed source current body diode | 180A |
| Repetitive avalanche voltage typ | 300V |
| Обр. проходная емкость тип. | 100 pF |
| Thermal resistance case sink typ | 0.24°C/W |
| Single pulse avalanche energy max | 300mJ |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 210mV/°C |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | 250V |
| Drain source voltage typ avalanche | 300V |
| Gate threshold voltage coefficient | -14mV/°C |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Мин. темп. перехода | -40°C |
| Drain source leakage current max 25C | 20 µA |
| Диапазон темп. перехода | -40 to 175°C |
| Soldering temperature for 10 seconds | 300°C |
| Thermal resistance junction case max | 0.49°C/W |
| Drain source leakage current max 125C | 1.0 mA |
| Drain source on resistance conditions | Vgs=10V, Id=26A |
| Gate source leakage current forward max | 100 nA |
| Gate source leakage current reverse max | -100 nA |
| Thermal resistance junction ambient max | 40°C/W |
| Continuous source current body diode 25C | 44A |
| Breakdown voltage temperature coefficient | 210 mV/°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?