Документация
Транзистор IRFP4110PBF
У поставщика
У поставщиков
706 шт.
Норм. уп.: 25
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:706 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 25
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 207,56 |
| от 25 | 195,93 |
| от 50 | 186,68 |
| от 100 | 178,56 |
| от 175 | 173,06 |
Описание
Транзистор IRFP4110PBF производства Infineon представляет собой мощный N-канальный полевой MOSFET, выполненный в корпусе TO-247. Компонент оптимизирован для работы с высокими токами и низким сопротивлением открытого канала, что минимизирует потери проводимости. Применяется в импульсных источниках питания, силовых преобразователях и цепях управления двигателями, где требуется высокая эффективность и надежность.
Технические характеристики
| V dss | 100V |
| T d on | 25ns |
| P d max | 370W |
| Корпус | TO-247AC |
| R th cs | 0.24°C/W |
| R th ja | 40°C/W |
| R th jc | 0.402°C/W |
| T d off | 78ns |
| G fs min | 160S |
| Тип монтажа | Выводной |
| Полярность | N-Channel |
| V(BR)DSS | 100V |
| V gs max | ±20V |
| I dss max | 20µA |
| Технология | HEXFET Power MOSFET |
| I dm pulsed | 670A |
| R ds on max | 4.5mΩ |
| R ds on typ | 3.7mΩ |
| V gs th max | 4.0V |
| V gs th min | 2.0V |
| Применение | High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, Uninterruptible Power Supply, High Speed Power Switching, Hard Switched and High Frequency Circuits |
| C oss eff er | 820pF |
| C oss eff tr | 950pF |
| T f fall time | 88ns |
| T r rise time | 67ns |
| I dss max 125c | 250µA |
| Момент затяжки | 10lb·in (1.1N·m) |
| V br temp coeff | 0.108V/°C |
| Описание | MOSFETs MOSFT 100V 168A 4.6mOhm 152nC Qg |
| I gss forward max | 100nA |
| I gss reverse max | -100nA |
| T j storage range | -55 to 175°C |
| Q gd miller charge | 43nC |
| R g gate resistance | 1.3Ω |
| Q g total gate charge | 150nC typ, 210nC max |
| Температура пайки | 300°C for 10s |
| I ar avalanche current | 108A |
| Коэффициент снижения мощности | 2.5W/°C |
| C iss input capacitance | 9620pF |
| Q gs gate source charge | 35nC |
| C oss output capacitance | 670pF |
| Dv dt peak diode recovery | 5.3V/ns |
| E ar repetitive avalanche | 37mJ |
| I d continuous silicon 25c | 180A |
| I sm pulsed source current | 670A |
| V sd diode forward voltage | 1.3V |
| E as single pulse avalanche | 190mJ |
| I d continuous silicon 100c | 130A |
| I s continuous source current | 170A |
| I rrm reverse recovery current | 3.5A |
| T rr reverse recovery time 25c | 50ns typ, 75ns max |
| T rr reverse recovery time 125c | 60ns typ, 90ns max |
| Q rr reverse recovery charge 25c | 94nC typ, 140nC max |
| Q rr reverse recovery charge 125c | 140nC typ, 210nC max |
| C rss reverse transfer capacitance | 250pF |
| I d continuous package limited 25c | 120A |
| Напряжение, В | 100 |
| Ток, А | 168 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?