Документация
Транзистор IRFP3710PBF
У поставщика
У поставщиков
1 390 шт.
Норм. уп.: 25
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 390 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 25
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 307,04 |
| от 25 | 292,09 |
| от 75 | 282,08 |
| от 125 | 273,29 |
| от 225 | 267,34 |
Описание
Мощный полевой MOSFET-транзистор от Infineon (ранее International Rectifier) в корпусе TO-247AC. Выдерживает напряжение до 100 В и постоянный ток 57 А, импульсный ток достигает 180 А при рассеиваемой мощности 200 Вт. Отличается сверхнизким сопротивлением открытого канала всего 2,5 мОм. Применяется в импульсных источниках питания, силовых преобразователях и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Выводы | 3 |
| Мощность, Вт | 200 |
| Id max | 57A |
| Ток, А | 57 |
| Корпус | TO-247AC |
| Напряжение, В | 100 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Полярность | N-Channel |
| Vdss max | 100V |
| Без свинца | Да |
| Idm импульсный | 180A |
| Pd макс. 25°C | 200W |
| Rds(вкл) макс. | 0.0025Ω |
| Сопротивление | 0.023Ω |
| Технология | Advanced Process Technology |
| Описание | HEXFET Power MOSFET |
| Gate charge | 120nC |
| Артикул | IRFP3710PbF |
| Производитель | International Rectifier |
| Время спада | 48ns |
| Время нарастания | 59ns |
| Тип монтажа | THT |
| Тип компонента | MOSFET |
| Соотв. RoHS | Да |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1N·m) |
| Rcs case to sink | 0.50°C/W |
| Ток стока непрерывный 25C | 57A |
| Вх. емкость | 3000pF |
| Рассеиваемая мощность | 200W |
| Темп. диапазон | -55°C to +175°C |
| Tstg storage temp | 300°C (1.6mm from case) |
| Непрерывный ток 100°C | 40A |
| Макс. раб. темп. | 175°C |
| Мин. раб. темп. | -55°C |
| Выходная емкость | 700pF |
| Tj operating range | -55°C to +175°C |
| Vgs gate threshold | ±20V |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Td on turn on delay | 14ns |
| Напряжение сток-исток | 100V |
| Igss forward leakage | 100nA |
| Igss reverse leakage | -100nA |
| Импульсный ток стока | 228A |
| Полный заряд затвора Qg | 200nC |
| Rjc junction to case | 0.75°C/W |
| Temp coefficient rds | positive |
| Crss reverse transfer | 330pF |
| Iar avalanche current | 28A |
| Заряд затвор-сток Qgd | 82nC |
| Td off turn off delay | 58ns |
| Входная емкость Ciss | 3000pF |
| Коэффициент снижения мощности | 1.3W/°C |
| Заряд затвор-исток Qgs | 26nC |
| Выходная емкость Coss | 640pF |
| Rja junction to ambient | 62°C/W |
| Continuous drain current | 57A |
| Ear repetitive avalanche | 20mJ |
| Ton forward turn on time | Intrinsic turn-on time is negligible |
| Dv dt peak diode recovery | 5.0V/ns |
| Igss gate leakage current | ±250nA (at ±100V) |
| Eas single pulse avalanche | 530mJ |
| Qg total gate charge value | 190nC |
| Заряд обратного восстановления | 1.7μC to 2.6μC |
| Крутизна | 20S |
| Ld internal drain inductance | 4.5nH |
| Обратная проходная емкость | 150pF |
| Vgsth gate threshold voltage | 2.0V |
| Ls internal source inductance | 7.5nH |
| Trr reverse recovery time max | 320ns |
| Trr reverse recovery time min | 210ns |
| Рабочая температура перехода | -55°C to +175°C |
| Vgss drain to source breakdown | 100V |
| Vsd source drain diode forward | 1.3V |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.75°C/W |
| Idss drain to source leakage current | ±25μA (at ±20V) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?