Документация
ТРАНЗИСТОРЫ IRFP360PBF, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 400В, 23А, 280Вт, 0.2 Ом, корпус TO-247AC
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
2 075 шт.
Норм. уп.: 5
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 670 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 25
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 208,75 |
| от 50 | 198,09 |
| от 75 | 190,96 |
| от 150 | 184,69 |
| от 300 | 180,45 |
Склад 15
В наличии:405 шт
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 5
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 5 | 214,18 |
Описание
Транзистор полевой (MOSFET) N-канального типа от производителя Vishay. Компонент рассчитан на высокое рабочее напряжение и значительный ток, что делает его пригодным для мощных импульсных источников питания и преобразователей напряжения. Низкое сопротивление открытого канала обеспечивает высокую эффективность и снижает тепловыделение в силовых цепях. Устройство выполнено в прочном корпусе TO-247AC для надежного отвода тепла.
Технические характеристики
| Тип | MOSFET |
| Ток, А | 23 А |
| Корпус | TO-247AC |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 67ns |
| Время нарастания | 79ns |
| Технология | N-Channel Power MOSFET |
| Артикул | IRFP360PBF |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Конфигурация | Single |
| Соотв. RoHS | Pb-free terminations (IRFP360PbF) are RoHS compliant, exemptions may apply |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m), 6-32 or M3 screw |
| Мощность, Вт | 280 |
| Body diode voltage | 1.8V @ I_S=23A, V_GS=0V |
| Время задержки включения | 18ns |
| Время задержки выключения | 100ns |
| Импульсный ток стока | 92A |
| Total gate charge qg | 210nC |
| Напряжение, В | 400 В |
| Gate drain charge qgd | 110nC |
| Gate source charge qgs | 30nC |
| Gate threshold voltage | 2.0V to 4.0V |
| Input capacitance ciss | 4500pF |
| Коэффициент снижения мощности | 2.2W/°C |
| Gate source voltage vgs | ±20V |
| Output capacitance coss | 1100pF |
| Drain source voltage vds | 400V |
| Прямая крутизна | 14S |
| Peak diode recovery dvdt | 4.0V/ns |
| Internal drain inductance | 5.0nH |
| Maximum power dissipation | 280W |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Drain source on resistance | 0.20Ω @ V_GS=10V, I_D=14A |
| Internal source inductance | 13nH |
| Пиковая температура пайки | 300°C for 10s |
| Gate source leakage current | ±100nA |
| Энергия лавины | 28mJ |
| Длительный ток стока 25°C | 23A |
| Pulsed diode forward current | 92A |
| Repetitive avalanche current | 23A |
| Непрерывный ток стока 100°C | 14A |
| Энергия одиноч. импульса | 1200mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 400V |
| Тепл. сопр. корпус-рад. | 0.24°C/W typ |
| Zero gate voltage drain current | 25µA @ V_DS=400V, V_GS=0V; 250µA @ V_DS=320V, V_GS=0V, T_J=125°C |
| Body diode reverse recovery time | 420ns typ, 630ns max |
| Reverse transfer capacitance crss | 490pF |
| Body diode reverse recovery charge | 5.6µC typ, 8.4µC max |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 0.45°C/W max |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Continuous source drain diode current | 23A |
| Термосопротивление переход-среда | 40°C/W max |
Заметили ошибку в описании или параметрах?