Документация
Транзистор IRFP3206PBF
У поставщика
У поставщиков
2 543 шт.
Норм. уп.: 25
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 543 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 25
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 161,52 |
| от 50 | 152,75 |
| от 100 | 146,88 |
| от 200 | 141,71 |
| от 400 | 138,23 |
Описание
Транзистор IRFP3206PBF от Infineon — мощный полевой MOSFET с изолированным затвором. Выдерживает напряжение до 60 В и ток до 210 А, имеет низкое сопротивление открытого канала. Корпус TO-247AC обеспечивает эффективное охлаждение. Применяется в импульсных источниках питания, преобразователях и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
| Корпус | TO-247AC |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 83 ns typ |
| Время нарастания | 82 ns typ |
| Технология | N-channel Power MOSFET |
| Применение | High Efficiency Synchronous Rectification, Uninterruptible Power Supply, High Speed Power Switching, Hard Switched and High Frequency Circuits |
| Gate leakage | 100 nA at VGS=20V, -100 nA at VGS=-20V |
| Момент затяжки | 10 lb·in (1.1 N·m) |
| Sync gate charge | 85 nC typ |
| Напряжение пробоя | 60V |
| Вх. емкость | 6540 pF typ at VDS=50V, f=1MHz |
| Полный заряд затвора | 120 nC typ, 170 nC max at VGS=10V, VDS=30V, ID=75A |
| Выходная емкость | 720 pF typ |
| Время задержки включения | 19 ns typ at VDD=30V, ID=75A, RG=2.7Ω, VGS=10V |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Темп. хранения | -55 to +175°C |
| Время задержки выключения | 55 ns typ |
| Gate to drain charge | 35 nC typ |
| Импульсный ток стока | 840A |
| Напр. диода | 1.3V max at IS=75A, Tj=25°C |
| Gate to source charge | 29 nC typ |
| Время обратного восстановления | 33 ns typ at Tj=25°C, 37 ns typ at Tj=125°C; max 50 ns at 25°C, 56 ns at 125°C, IF=75A, di/dt=100A/μs |
| Температура пайки | 300°C for 10s |
| Gate threshold voltage | 2.0 to 4.0V |
| Коэффициент снижения мощности | 1.9 W/°C |
| Заряд обратного восстановления | 41 nC typ at Tj=25°C, 53 nC typ at Tj=125°C; max 62 nC at 25°C, 80 nC at 125°C |
| Continuous drain current | 200A (Tc=25°C, silicon limited), 140A (Tc=100°C), 120A (wire bond limited at 25°C) |
| Прямая крутизна | 210 S typ at VDS=50V, ID=75A |
| Internal gate resistance | 0.7Ω typ |
| Reverse recovery current | 2.1A typ |
| Maximum power dissipation | 280W at Tc=25°C |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 5.0 V/ns |
| Drain source on resistance | 2.4mΩ typ, 3.0mΩ max at VGS=10V, ID=75A |
| Diode pulsed source current | 840A |
| Drain source leakage current | 20 μA (VDS=60V), 250 μA (VDS=48V, Tj=125°C) |
| Обратная проходная емкость | 360 pF typ |
| Энергия одиноч. импульса | 170 mJ (thermally limited) |
| Рабочая температура перехода | -55 to +175°C |
| Diode continuous source current | 200A |
| Тепл. сопр. корпус-рад. | 0.24 °C/W typ |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 0.54 °C/W max |
| Термосопротивление переход-среда | 40 °C/W max |
| Effective output capacitance time related | 1230 pF at VDS=0-48V |
| Effective output capacitance energy related | 1040 pF at VDS=0-48V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?