Документация
Транзистор IRFP2907PBF
У поставщика
У поставщиков
1 487 шт.
Норм. уп.: 5
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:987 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 25
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 225,29 |
| от 18 | 212,88 |
| от 50 | 203,01 |
| от 75 | 194,35 |
| от 150 | 188,50 |
Склад 12
В наличии:500 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 5
Минимальная партия: 140 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 310,50 |
| от 5 | 222,53 |
| от 50 | 208,50 |
Описание
Транзистор IRFP2907PBF от Infineon — мощный биполярный ключ. Рассчитан на высокие токи и напряжение до 75 В, выпускается в корпусе TO-247. Применяется в импульсных источниках питания, преобразователях и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | биполярные |
| Корпус | TO-247AC |
| FET Type | N-Channel |
| Тип монтажа | Выводной |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Время спада | 130ns |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 190ns |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Технология | Stripe Planar HEXFET Power MOSFET |
| Артикул | IRFP2907PbF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Through Hole |
| Standard pack | Tube, 25 per tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1N·m) |
| Описание | MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC |
| Лавинный ток | See figures |
| Заряд сток-затвор | 140nC typ, 210nC max |
| Полный заряд затвора | 410nC typ, 620nC max |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Заряд затвор-исток | 92nC typ, 140nC max |
| Размеры упаковки | TO-247AC package outline (see datasheet) |
| Время задержки включения | 23ns |
| Время задержки выключения | 130ns |
| Импульсный ток стока | 840A |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Напр. диода | 1.3V |
| Orderable part number | IRFP2907PbF |
| Мощн. рас. 25°C | 470W |
| Время обратного восстановления | 140ns typ, 210ns max |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 125A, 10V |
| Gate threshold voltage | 2.0V to 4.0V |
| Input capacitance ciss | 13000pF |
| Коэффициент снижения мощности | 3.1W/°C |
| Power Dissipation (Max) | 470W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Output capacitance coss | 2100pF @ VDS=25V; 9780pF @ VDS=1V; 1360pF @ VDS=60V |
| Заряд обратного восстановления | 880nC typ, 1320nC max |
| Прямая крутизна | 130S |
| Internal drain inductance | 5.0nH |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 5.0V/ns |
| Soldering temperature 10s | 300°C |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 175°C |
| Internal source inductance | 13nH |
| Прямой ток утечки затвор-исток | 200nA @ VGS=20V |
| Обратный ток утечки затвор-исток | -200nA @ VGS=-20V |
| Gate source voltage vgs max | ±20V |
| Энергия лавины | Limited by Tjmax |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 620 nC @ 10 V |
| Длительный ток стока 25°C | 209A |
| Drain source leakage current | 20µA @ VDS=75V, VGS=0V; 250µA @ VDS=60V, TJ=150°C |
| Drain source voltage vds max | 75V |
| Thermal resistance case sink | 0.24°C/W |
| Непрерывный ток стока 100°C | 148A |
| Энергия одиноч. импульса | 1970mJ |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Напряжение пробоя сток-исток | 75V |
| Pulsed source current body diode | 840A |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.32°C/W |
| Reverse transfer capacitance crss | 500pF |
| Static drain source on resistance | 3.6mΩ typ, 4.5mΩ max |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 0.085V/°C |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 40°C/W |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13000 pF @ 25 V |
| Continuous source current body diode | 209A |
| Effective output capacitance coss eff | 2320pF |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 209A (Tc) |
| Напряжение, В | 75 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?