Документация
Силовой транзистор IRFP250PBF
У поставщика
У поставщиков
79 шт.
Норм. уп.: 25
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:79 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 25
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 135,36 |
| от 11 | 133,26 |
| от 25 | 130,54 |
| от 50 | 126,76 |
| от 100 | 121,79 |
Описание
Силовой полевой транзистор (MOSFET) от Vishay. Работает с напряжением до 200 В и током до 30 А, имеет низкое сопротивление открытого канала. Корпус TO-247. Применяется в импульсных блоках питания, преобразователях напряжения и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
| Корпус | TO-247AC |
| Тип монтажа | Выводной |
| Описание | N-Channel Power MOSFET |
| Артикул | IRFP250PBF |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Product summary | Заряд затвор-сток: 74nC; Заряд затвор-исток: 28nC; Vds: 200V; Макс. заряд затвора: 140nC; Сопротивление сток-исток: 0.085Ω; Конфигурация: Single |
| Тепловое сопротивление | Case to sink typ: 0.24°C/W; Junction to case max: 0.65°C/W; Junction to ambient max: 40°C/W |
| Информация для заказа | Snpb: IRFP250; Lead pb free: IRFP250PbF; Snpb alternative: SiHFP250; Lead pb free alternative: SiHFP250-E3 |
| Static specifications | Gate source leakage max: ±100nA; Forward transconductance min: 12S; Vds temperature coefficient typ: 0.27V/°C; Gate source threshold voltage max: 4.0V; Gate source threshold voltage min: 2.0V; Мин. напряжение сток-исток пробоя: 200V; Drain source on state resistance max: 0.085Ω; Zero gate voltage drain current max 25c: 25µA; Zero gate voltage drain current max 125c: 250µA |
| Dynamic specifications | Тип. время спада: 62ns; Тип. время нарастания: 80ns; Gate drain charge max: 74nC; Тип. входная емкость: 2800pF; Заряд затвора макс.: 140nC; Gate source charge max: 28nC; Выходная емкость тип.: 780pF; Время задержки вкл. тип.: 16ns; Время задержки выкл. тип.: 62ns; Внутр. индуктивность стока: 5.0nH; Internal source inductance typ: 13nH; Обр. проходная емкость тип.: 250pF |
| Предельные значения | Vds: 200V; Vgs: ±20V; Момент затяжки: 1.1 N·m; Темп. хранения: -55 to +150°C; Импульсный ток стока: 120A; Коэффициент снижения мощности: 1.5W/°C; Power dissipation tc 25c: 190W; Пиковое dv/dt восстановления диода: 5.0V/ns; Пиковая температура пайки: 300°C; Энергия лавины: 19mJ; Repetitive avalanche current: 30A; Энергия одиноч. импульса: 410mJ; Рабочая температура перехода: -55 to +150°C; Continuous drain current tc 25c: 30A; Continuous drain current tc 100c: 19A |
| Body diode characteristics | Body diode voltage max: 2.0V; Pulsed diode forward current: 120A; Body diode reverse recovery time max: 540ns; Body diode reverse recovery time typ: 360ns; Continuous source drain diode current: 30A; Body diode reverse recovery charge max: 6.9µC; Body diode reverse recovery charge typ: 4.6µC |
Заметили ошибку в описании или параметрах?