+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
IRFP250N
Документация

Транзистор IRFP250N

Артикул:150420
У поставщика
ПроизводительJSMSEMI
Ед. изм.шт
У поставщиков
420 шт.
Цены поставщиков
Склад 15
В наличии:420 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 368,07
Описание

Транзистор IRFP250N от JSMSEMI — это N-канальный MOSFET в корпусе TO-247. Выдерживает напряжение до 220 В и постоянный ток до 30 А, рассеивая мощность до 250 Вт. Подходит для импульсных блоков питания и преобразователей напряжения в промышленной автоматике.

Технические характеристики
МаркировкаIRFP250N
КорпусTO-247
НаименованиеIRFP250N
Тип устройстваN-Channel MOSFET
Конфиг. выводов{ "pin_1": "G (Gate)", "pin_2": "D (Drain)", "pin_3": "S (Source)" }
Тепловое сопротивление{ "junction_to_case_rthJC": "1.2°C/W", "junction_to_ambient_rthJA": "60°C/W" }
Absolute max ratings{ "storage_temp_max": "150°C", "storage_temp_min": "-55°C", "avalanche_current_ias": "31A", "gate_source_voltage_vgs": "±20V", "pulsed_drain_current_idm": "160A", "drain_source_voltage_vdss": "220V", "continuous_drain_current_id": "30A", "operating_junction_temp_max": "150°C", "operating_junction_temp_min": "-55°C", "power_dissipation_pd_at_25c": "250W", "repetitive_avalanche_energy_ear": "124mJ", "single_pulse_avalanche_energy_eas": "191mJ" }
Static specifications{ "gate_source_leakage_igss": "±100nA", "forward_transconductance_gfs": "16S", "drain_source_on_resistance_rds_on": "0.04-0.05Ω", "gate_source_threshold_voltage_vgs_th": "2.0-4.0V", "drain_source_breakdown_voltage_vbrdss": "220V", "zero_gate_voltage_drain_current_idss_at_220v_25c": "1µA", "zero_gate_voltage_drain_current_idss_at_220v_125c": "100µA" }
Dynamic specifications{ "total_gate_charge_qg": "154nC", "turn_on_rise_time_tr": "54ns", "gate_drain_charge_qgd": "58nC", "turn_off_fall_time_tf": "96ns", "gate_source_charge_qgs": "13nC", "input_capacitance_ciss": "2800pF", "output_capacitance_coss": "355pF", "turn_on_delay_time_td_on": "46ns", "turn_off_delay_time_td_off": "360ns", "reverse_transfer_capacitance_crss": "101pF" }
Body diode characteristics{ "body_forward_voltage_vsd": "1.4V", "pulsed_source_current_ism": "160A", "reverse_recovery_time_trr": "152ns", "reverse_recovery_charge_qrr": "1µC", "continuous_source_current_isd": "30A" }