Документация
Силовой транзистор IRFP240PBF
У поставщика
У поставщиков
414 шт.
Норм. уп.: 25
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:414 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 25
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 428,92 |
| от 10 | 407,53 |
| от 25 | 390,54 |
| от 50 | 375,61 |
| от 100 | 365,52 |
Описание
Силовой MOSFET-транзистор IRFP240PBF производства Vishay. Компонент выполнен в корпусе TO-247 и предназначен для работы в цепях с высокими токами и напряжениями. Применяется в импульсных источниках питания, усилителях мощности и преобразователях напряжения. Отличается низким сопротивлением открытого канала и высокой переключательной способностью.
Технические характеристики
| Корпус | TO-247AC |
| FET Type | N-Channel |
| Тип монтажа | Выводной |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Время спада | 36ns typ |
| Время нарастания | 51ns typ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Артикул | IRFP240PBF |
| Channel type | N-Channel MOSFET |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Through Hole |
| Конфигурация | Single |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m), 6-32 or M3 screw |
| Описание | MOSFET N-CH 200V 20A TO247-3 |
| Заряд сток-затвор | 39nC max |
| Вх. емкость | 1300pF typ at VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz |
| Рассеиваемая мощность | 150W |
| Threshold voltage | 2.0V to 4.0V |
| Полный заряд затвора | 70nC max |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Body diode voltage | 2.0V max |
| Заряд затвор-исток | 13nC max |
| Выходная емкость | 400pF typ |
| Время задержки включения | 14ns typ |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 45ns typ |
| Напряжение сток-исток | 200V |
| Gate leakage current | ±100nA |
| Импульсный ток стока | 80A |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 12A, 10V |
| Коэффициент снижения мощности | 1.2W/°C |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Continuous drain current | 20A at TC=25°C, 12A at TC=100°C |
| Прямая крутизна | 6.9S min |
| Peak diode recovery dvdt | 5.0V/ns |
| Internal drain inductance | 5.0nH typ |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Capacitance test frequency | 1MHz |
| Drain source on resistance | 0.18Ω max at VGS=10V, ID=12A |
| Internal source inductance | 13nH typ |
| Пиковая температура пайки | 300°C for 10s |
| Энергия лавины | 15mJ |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Pulsed diode forward current | 80A |
| Repetitive avalanche current | 20A |
| Обратная проходная емкость | 130pF typ |
| Thermal resistance case sink | 0.24°C/W typ |
| Энергия одиноч. импульса | 510mJ |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Zero gate voltage drain current | 25μA at VDS=200V; 250μA at VDS=160V, TJ=125°C |
| Body diode reverse recovery time | 300ns typ, 610ns max |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.83°C/W max |
| Body diode reverse recovery charge | 3.4μC typ, 7.1μC max |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 40°C/W max |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Continuous source drain diode current | 20A |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?