Документация
Транзистор IRFL9110TRPBF SOT-223
У поставщика
У поставщиков
1 985 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 985 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 16 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 44,16 |
| от 78 | 40,84 |
| от 155 | 38,18 |
| от 309 | 35,87 |
| от 617 | 34,32 |
Описание
Транзистор IRFL9110TRPBF от Vishay представляет собой P-канальный полевой МОП-транзистор, выполненный в компактном корпусе SOT-223 для поверхностного монтажа. Компонент предназначен для коммутации нагрузки и управления питанием в цепях с низким и средним напряжением. Благодаря P-канальной структуре упрощает схемотехнику в приложениях с верхним плечом ключа.
Технические характеристики
| Корпус | SOT-223 |
| Особенности | Surface mount, Available in tape and reel, Dynamic dV/dt rating, Repetitive avalanche rated, Fast switching, Ease of paralleling |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 17ns |
| Время нарастания | 27ns |
| Артикул | IRFL9110TRPBF |
| Channel type | P-channel |
| Код маркировки | FF D |
| Конфигурация | Single |
| Описание | MOSFETs P-Chan 100V 1.1 Amp |
| Лавинный ток | -1.1A |
| Заряд сток-затвор | 4.1nC |
| Вх. емкость | 200pF |
| Полный заряд затвора | 8.7nC |
| Body diode voltage | -5.5V |
| Заряд затвор-исток | 2.2nC |
| Выходная емкость | 94pF |
| Время задержки включения | 10ns |
| Gate source leakage | ±100nA |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 15ns |
| Напряжение сток-исток | -100V |
| Импульсный ток стока | -8.8A |
| Коэффициент снижения мощности | 0.025W/°C |
| Power dissipation tc25 | 3.1W |
| Прямая крутизна | 0.82S |
| Internal drain inductance | 4.0nH |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | -5.5V/ns |
| Internal source inductance | 6.0nH |
| Пиковая температура пайки | 300°C for 10s |
| Энергия лавины | 0.31mJ |
| Pulsed diode forward current | -8.8A |
| Обратная проходная емкость | 18pF |
| Continuous drain current tc25 | -1.1A |
| Gate source threshold voltage | -2.0V to -4.0V |
| Энергия одиноч. импульса | 100mJ |
| Continuous drain current tc100 | -0.69A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -100V |
| Zero gate voltage drain current | -100μA at V_DS=-100V |
| Body diode reverse recovery time | 80ns typ, 160ns max |
| Drain source on state resistance | 1.2Ω max at V_GS=-10V, I_D=-0.66A |
| Linear derating factor pcb mount | 0.017W/°C |
| Power dissipation pcb mount ta25 | 2.0W |
| Body diode reverse recovery charge | 0.15μC typ, 0.30μC max |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 40°C/W |
| Zero gate voltage drain current 125c | -500μA at V_DS=-80V, T_J=125°C |
| Continuous source drain diode current | -1.1A |
| Breakdown voltage temperature coefficient | -0.091V/°C |
| Operating junction and storage temperature range | -55°C to +150°C |
| Thermal resistance junction to ambient pcb mount | 60°C/W |
| Напряжение, В | 100 |
| Ток, А | 1,1 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?