Документация
ТРАНЗИСТОРЫ IRFL9014TRPBF, Транзистор полевой P-канальный VISHAY, 60В, 1.8А, 2Вт, корпус SOT-223
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
10 958 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:8 758 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 20 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 34,50 |
| от 183 | 31,94 |
| от 365 | 30,20 |
| от 729 | 28,69 |
| от 1 457 | 27,67 |
Склад 12
В наличии:2 200 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 100 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 47,61 |
| от 10 | 36,33 |
| от 100 | 33,60 |
Описание
Транзистор полевой P-канальный от Vishay в компактном корпусе SOT-223. Рассчитан на рабочие напряжения до 60 В и ток до 1,8 А с рассеиваемой мощностью 2 Вт. Предназначен для коммутации нагрузок и цепей управления в силовой электронике, блоках питания и DC/DC-преобразователях.
Технические характеристики
| Макс. заряд затвора | 12nC |
| Tf тип. | 31ns |
| Макс. Tj | 150°C |
| Tj мин. | -55°C |
| Tr тип. | 63ns |
| Тип | MOSFET |
| Ток, А | -1.0 А |
| Is cont | -1.8A |
| Корпус | SOT-223 |
| Qgd max | 5.1nC |
| Qgs max | 3.8nC |
| Qrr max | 0.19μC |
| Qrr тип. | 0.096μC |
| Макс. время обратного восстановления | 160ns |
| Trr тип. | 80ns |
| Макс. Vds | -60V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Vsd макс. | 5.5V |
| Тип. Ciss | 270pF |
| Coss тип. | 170pF |
| Тип. Crss | 31pF |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | P-channel |
| Макс. Tstg | 150°C |
| Мин. Tstg | -55°C |
| Время спада | 31ns |
| Ток стока импульсный | -14A |
| Is pulsed | -14A |
| Время нарастания | 63ns |
| Rthja max | 60°C/W |
| Rthjc max | 40°C/W |
| Td(вкл) тип. | 11ns |
| Pd max pcb | 2.0W |
| Rds(вкл) макс. | 0.50Ω |
| Td(выкл) тип. | 9.6ns |
| Vgs порог макс. | -4.0V |
| Vgs порог мин. | -2.0V |
| Описание | P-Channel Power MOSFET |
| Id cont 25c | -1.8A |
| Артикул | IRFL9014TRPBF |
| Pd max case | 3.1W |
| Id cont 100c | -1.1A |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Код маркировки | FE |
| Конфигурация | Single |
| EAR повторяющийся | 0.31mJ |
| Iar repetitive | -1.8A |
| Время пайки | 10s |
| Одиночный импульс EAS | 140mJ |
| Rds on condition | VGS=-10V, ID=1.1A |
| Мощность, Вт | 2 |
| Заряд сток-затвор | 5.1nC |
| Вх. емкость | 270pF |
| Полный заряд затвора | 12nC |
| Заряд затвор-исток | 3.8nC |
| Выходная емкость | 170pF |
| Время задержки включения | 11ns |
| Gate source leakage | ±100nA |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 9.6ns |
| Напряжение сток-исток | -60V |
| Импульсный ток стока | -14A |
| Switching conditions | V_DD=-30V, I_D=-6.7A, R_g=24Ω, R_D=4.0Ω |
| Напряжение, В | -60 В |
| Body diode voltage max | -5.5V |
| Capacitance conditions | V_GS=0V, V_DS=25V |
| Gate charge conditions | I_D=-6.7A, V_DS=-48V, V_GS=-10V |
| Коэффициент снижения мощности | 0.025W/°C |
| Internal drain inductance | 4.0nH |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | -4.5V/ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Capacitance test frequency | 1MHz |
| Internal source inductance | 6.0nH |
| Пиковая температура пайки | 300°C |
| Энергия лавины | 0.31mJ |
| Длительный ток стока 25°C | -1.8A |
| Forward transconductance min | 1.3S |
| Pulsed diode forward current | -14A |
| Repetitive avalanche current | -1.8A |
| Обратная проходная емкость | 31pF |
| Непрерывный ток стока 100°C | -1.1A |
| Энергия одиноч. импульса | 140mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | -60V |
| Linear derating factor pcb mount | 0.017W/°C |
| Gate source threshold voltage max | -4.0V |
| Gate source threshold voltage min | -2.0V |
| Maximum power dissipation case 25c | 3.1W |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 40°C/W (max) |
| Zero gate voltage drain current 25c | -100μA |
| Body diode reverse recovery time max | 160ns |
| Body diode reverse recovery time typ | 80ns |
| Drain source on state resistance max | 0.50Ω |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Zero gate voltage drain current 125c | -500μA |
| Continuous source drain diode current | -1.8A |
| Body diode reverse recovery charge max | 0.19μC |
| Body diode reverse recovery charge typ | 0.096μC |
| Maximum power dissipation pcb mount 25c | 2.0W |
| Breakdown voltage temperature coefficient | -0.059V/°C |
| Drain source on state resistance conditions | V_GS=-10V, I_D=1.1A |
| Thermal resistance junction to ambient pcb mount | 60°C/W (max) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?