Документация
Транзистор полевой IRFL9014TRPBF / P-канал, SOT-223, 1.8А, 60В
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
850 шт.
Норм. уп.: 25
Цены поставщиков
Склад 15
В наличии:850 шт
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 25
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 25 | 39,54 |
Описание
Транзистор полевой P-канала IRFL9014TRPBF от Vishay выполнен в компактном корпусе SOT-223. Компонент рассчитан на ток до 1.8 А и напряжение 60 В, что делает его подходящим для коммутации нагрузок и управления питанием в цепях с верхним плечом. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала и высокой скорости переключения применяется в DC/DC-преобразователях и схемах защиты от переполюсовки.
Технические характеристики
| Тип | MOSFET |
| Ток, А | -1.6 А |
| Корпус | SOT-223 |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 31ns |
| Время нарастания | 63ns |
| Описание | P-Channel Power MOSFET |
| Артикул | IRFL9014TRPBF |
| Channel type | P-Channel |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Код маркировки | FE |
| Мощность, Вт | 2 |
| Заряд сток-затвор | 5.1nC |
| Вх. емкость | 270pF |
| Полный заряд затвора | 12nC |
| Body diode voltage | 5.5V |
| Заряд затвор-исток | 3.8nC |
| Выходная емкость | 170pF |
| Время задержки включения | 11ns |
| Структура | P-канал |
| Gate source leakage | ±100nA |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 9.6ns |
| Напряжение сток-исток | -60V |
| Импульсный ток стока | -14A |
| Напряжение, В | -60 В |
| Коэффициент снижения мощности | 0.025W/°C |
| Rds on test conditions | VGS=-10V, ID=1.1A |
| Макс. темп. хр. | +150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Прямая крутизна | 1.3S |
| Internal drain inductance | 4.0nH |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | -4.5V/ns |
| Drain source on resistance | 0.50Ω |
| Internal source inductance | 6.0nH |
| Пиковая температура пайки | 300°C |
| Энергия лавины | 0.31mJ |
| Vds temperature coefficient | -0.059V/°C |
| Pulsed diode forward current | 14A |
| Repetitive avalanche current | -1.8A |
| Обратная проходная емкость | 31pF |
| Continuous drain current tc25 | -1.8A |
| Энергия одиноч. импульса | 140mJ |
| Continuous drain current tc100 | -1.1A |
| Maximum power dissipation tc25 | 3.1W |
| Zero gate voltage drain current | 100µA |
| Body diode reverse recovery time | 80ns |
| Linear derating factor pcb mount | 0.017W/°C |
| Gate source threshold voltage max | -4.0V |
| Gate source threshold voltage min | -2.0V |
| Body diode reverse recovery charge | 0.096µC |
| Макс. темп. перехода | +150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Maximum power dissipation pcb mount | 2.0W |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 40°C/W |
| Continuous source drain diode current | 1.8A |
| Zero gate voltage drain current tj125 | 500µA |
| Термосопротивление переход-среда | 60°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.1 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?