Документация
Транзистор IRFL4310TRPBF
У поставщика
У поставщиков
7 831 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:7 831 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 18 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 40,49 |
| от 154 | 37,62 |
| от 307 | 35,68 |
| от 614 | 33,98 |
| от 1 227 | 32,84 |
Описание
Транзистор биполярный IRFL4310TRPBF от Infineon. Работает с напряжением до 100 В и током до 3.1 А, мощность рассеивания — 1.3 Вт. Выполнен в компактном корпусе SOT-223 для поверхностного монтажа. Подходит для коммутации нагрузок в бытовой электронике и цепях питания.
Технические характеристики
| Тип | HEXFET Power MOSFET |
| Корпус | SOT-223 |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 20ns |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 18ns |
| Артикул | IRFL4310TRPBF |
| Описание | MOSFETs MOSFT 100V 1.6A 200mOhm 17nC |
| Лавинный ток | 1.6A |
| Заряд сток-затвор | 7.8nC (typ), 12nC (max) |
| Вх. емкость | 330pF |
| Полный заряд затвора | 17nC (typ), 25nC (max) |
| Заряд затвор-исток | 2.1nC (typ), 3.1nC (max) |
| Выходная емкость | 92pF |
| Размеры упаковки | SOT-223 (TO-261AA) - see datasheet for detailed dimensions |
| Tape and reel info | 2500 devices per reel |
| Время задержки включения | 7.8ns |
| Время задержки выключения | 34ns |
| Импульсный ток стока | 13A |
| Напр. диода | 1.3V |
| Время обратного восстановления | 72ns (typ), 110ns (max) |
| Gate threshold voltage | 2.0V to 4.0V |
| Коэффициент снижения мощности | 8.3mW/°C |
| Gate source voltage vgs | ±20V |
| Заряд обратного восстановления | 210nC (typ), 320nC (max) |
| Drain source voltage vds | 100V |
| Прямая крутизна | 1.5S |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 5.0V/ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Gate source leakage current | 100nA (forward), -100nA (reverse) |
| Энергия лавины | 0.10mJ |
| Drain source leakage current | 25µA (at VDS=100V, VGS=0V), 250µA (at VDS=80V, TJ=125°C) |
| Обратная проходная емкость | 54pF |
| Энергия одиноч. импульса | 47mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 100V |
| Pulsed source current body diode | 13A |
| Static drain source on resistance | 0.20Ω |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 0.12V/°C |
| Continuous drain current ta70 vgs10v | 1.3A |
| Continuous source current body diode | 0.91A |
| Power dissipation pcb mount 1inch square | 2.1W |
| Power dissipation pcb mount min footprint | 1.0W |
| Thermal resistance junction to ambient 1inch square | 60°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient min footprint | 120°C/W |
| Continuous drain current ta25 vgs10v pcb mount 1inch square | 2.2A |
| Continuous drain current ta25 vgs10v pcb mount min footprint | 1.6A |
| Напряжение, В | 100 |
| Ток, А | 1,6 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?