Документация
Транзистор IRFL4105TRPBF
У поставщика
У поставщиков
1 093 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 10 | 38,71 |
| от 30 | 36,21 |
| от 60 | 34,96 |
| от 120 | 33,21 |
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 093 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 14 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 55,32 |
| от 42 | 50,82 |
| от 83 | 47,14 |
| от 165 | 44,37 |
| от 330 | 42,30 |
Описание
Транзистор биполярный IRFL4105TRPBF от Infineon. Работает с напряжением до 55 В и током до 3,4 А, рассеиваемая мощность — 2,1 Вт. Выполнен в компактном корпусе SOT-223 для поверхностного монтажа. Подходит для цепей управления нагрузкой в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| GFS | 3.8S |
| I s | 1.3A |
| Q g | 23nC |
| T f | 12ns |
| T j | -55 to +150C |
| T r | 12ns |
| Тип | биполярные |
| E ar | 0.10mJ |
| E as | 110mJ |
| Форма | Tape and Reel |
| I ar | 3.7A |
| I sm | 30A |
| Q gd | 9.8nC |
| Q gs | 3.4nC |
| Q rr | 120nC |
| T rr | 55ns |
| V gs | +/-20V |
| V sd | 1.3V |
| C iss | 660pF |
| C oss | 230pF |
| C rss | 99pF |
| Dv dt | 5.0V/ns |
| I dss | 25uA |
| I gss | 100nA |
| Примечания | Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature. Starting Tj = 25C, L = 16mH, Rg = 25Ohm, Ias = 3.7A. Isd <= 3.7A, di/dt <= 110A/us, Vdd <= V(BR)DSS, Tj <= 150C. Pulse width <= 300us; duty cycle <= 2%. |
| T stg | -55 to +150C |
| V dss | 55V |
| R thja | 120C/W |
| T d on | 7.1ns |
| I d 25c | 3.7A |
| I d 70c | 3.0A |
| P d 25c | 1.0W |
| Корпус | SOT-223 |
| R ds on | 0.045Ohm |
| T d off | 19ns |
| V gs th | 2.0 to 4.0V |
| Тип монтажа | SMD |
| Количество | 2500 |
| Время спада | 12ns |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 12ns |
| I d pulsed | 30A |
| R thja typ | 90C/W |
| Описание | Surface Mount HEXFET Power MOSFET |
| P d 25c max | 2.1W |
| Артикул | IRFL4105PbF |
| Тип. время спада | 12ns |
| Тип. время нарастания | 12ns |
| Surface mount | Да |
| Fast switching | Да |
| Wave soldering | Да |
| Base part number | IRFL4105PbF |
| Лавинный ток | 3.7A |
| Вх. емкость | 660pF |
| Рассеиваемая мощность | 1.0W |
| Полный заряд затвора | 23nC |
| Infrared soldering | Да |
| Выходная емкость | 230pF |
| Размеры упаковки | SOT-223 (TO-261AA) |
| Время задержки включения | 7.1ns |
| Thermal performance | improved due to enlarged tab for heat sinking |
| Время задержки выключения | 19ns |
| Dynamic dv dt rating | Да |
| Gate to drain charge | 9.8nC |
| Импульсный ток стока | 30A |
| Напр. диода | 1.3V |
| Fully avalanche rated | Да |
| Gate to source charge | 3.4nC |
| Тип. входная емкость | 660pF |
| Orderable part number | IRFL4105PbF |
| Макс. рассеиваемая мощность | 2.1W |
| Pulsed source current | 30A |
| Время обратного восстановления | 55ns |
| Заряд затвора макс. | 35nC |
| Тип. заряд затвора | 23nC |
| Vapor phase soldering | Да |
| Gate threshold voltage | 2.0 to 4.0V |
| Gate to source voltage | +/-20V |
| Коэффициент снижения мощности | 8.3mW/C |
| Выходная емкость тип. | 230pF |
| Tape and reel quantity | 2500 |
| Время задержки вкл. тип. | 7.1ns |
| Заряд обратного восстановления | 120nC |
| Время задержки выкл. тип. | 19ns |
| Ultra low on resistance | Да |
| Automatic pick and place | Да |
| Continuous drain current | 3.7A |
| Прямая крутизна | 3.8S |
| Gate to drain charge max | 15nC |
| Gate to drain charge typ | 9.8nC |
| Continuous source current | 1.3A |
| Напр. диода макс. | 1.3V |
| Gate to source charge max | 5.1nC |
| Gate to source charge typ | 3.4nC |
| Maximum power dissipation | 2.1W |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 5.0V/ns |
| Pulsed source current max | 30A |
| Макс. время обрат. восстановления | 82ns |
| Тип. время восст. | 55ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.0V |
| Advanced process technology | Да |
| Энергия лавины | 0.10mJ |
| Reverse recovery charge max | 170nC |
| Тип. заряд восст. | 120nC |
| Длительный ток стока 25°C | 5.2A |
| Continuous drain current 70c | 3.0A |
| Forward transconductance min | 3.8S |
| Обратная проходная емкость | 99pF |
| Continuous source current max | 1.3A |
| Peak diode recovery dv dt typ | 5.0V/ns |
| Энергия одиноч. импульса | 110mJ |
| Темп. хр. макс. | 150C |
| Темп. хр. мин. | -55C |
| Gate to source forward leakage | 100nA |
| Gate to source reverse leakage | -100nA |
| Рабочая температура перехода | -55 to +150C |
| Drain to source leakage current | 25uA |
| Repetitive avalanche energy typ | 0.10mJ |
| Linear derating factor pcb mount | 8.3mW/C |
| Обр. проходная емкость тип. | 99pF |
| Drain to source breakdown voltage | 55V |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 0.058V/C |
| Gate to source forward leakage max | 100nA |
| Gate to source reverse leakage max | -100nA |
| Макс. темп. перехода | 150C |
| Drain to source leakage current max | 25uA |
| Maximum power dissipation pcb mount | 1.0W |
| Static drain to source on resistance | 0.045Ohm |
| Drain to source breakdown voltage min | 55V |
| Junction to ambient thermal resistance | 120C/W |
| Термосопротивление переход-среда | 120C/W |
| Power dissipation typical surface mount | 1.0W |
| Drain to source leakage current max 150c | 250uA |
| Static drain to source on resistance max | 0.045Ohm |
| Junction to ambient thermal resistance typ | 90C/W |
| Thermal resistance junction to ambient typ | 90C/W |
| Single pulse avalanche energy thermally limited | 110mJ |
| Junction to ambient thermal resistance pcb mount | 60C/W |
| Junction to ambient thermal resistance pcb mount typ | 50C/W |
| Drain to source breakdown voltage temp coefficient typ | 0.058V/C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?