Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 790мА, 3.1Вт
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
2 807 шт.
Норм. уп.: 40
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 227 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 59,44 |
| от 64 | 55,18 |
| от 127 | 51,77 |
| от 253 | 48,81 |
| от 506 | 46,82 |
Склад 12
В наличии:580 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 40
Минимальная партия: 400 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 40,03 |
| от 40 | 40,03 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от Vishay. Рабочее напряжение до 250 В, ток до 790 мА и мощность 3,1 Вт в компактном корпусе SOT-223. Подходит для импульсных источников питания и цепей управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Ear | 0.31mJ |
| Eas | 50mJ |
| Iar | 0.79A |
| Тип | N-Channel MOSFET |
| Примечания | Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11)., VDD=50V, starting TJ=25°C, L=128mH, Rg=25Ω, IAS=0.79A (see fig. 12)., ISD≤2.7A, dI/dt≤65A/µs, VDD≤VDS, TJ≤150°C., 1.6mm from case., When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material)., Pulse width ≤300µs; duty cycle ≤2%. |
| Ld typ | 4.0nH |
| Ls typ | 6.0nH |
| Макс. заряд затвора | 8.2nC |
| Серия | IRFL214, SiHFL214 |
| Tf тип. | 7.0ns |
| Tr тип. | 7.6ns |
| Gfs min | 0.50S |
| Корпус | SOT-223 |
| Qgd max | 4.5nC |
| Qgs max | 1.8nC |
| Qrr max | 1.3µC |
| Qrr тип. | 0.64µC |
| Макс. время обратного восстановления | 390ns |
| Trr тип. | 190ns |
| Макс. Vds | 250V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Vsd макс. | 2.0V |
| Тип. Ciss | 140pF |
| Coss тип. | 42pF |
| Тип. Crss | 9.6pF |
| Особенности | Surface mount, Available in tape and reel, Dynamic dV/dt rating, Repetitive avalanche rated, Fast switching, Ease of paralleling, Simple drive requirements, Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 |
| Igss макс. | ±100nA |
| Материал | Lead (Pb)-free, Halogen-free available |
| Тип монтажа | SMD |
| Ревизия | S14-1685-Rev. E, 18-Aug-14 |
| Время спада | 7.0ns |
| Ток стока импульсный | 6.3A |
| Время нарастания | 7.6ns |
| Rthja max | 60°C/W |
| Rthjc max | 40°C/W |
| Td(вкл) тип. | 7.0ns |
| Ism pulsed | 6.3A |
| Pd макс. 25°C | 3.1W |
| Rds(вкл) макс. | 2.0Ω |
| Td(выкл) тип. | 16ns |
| Технология | Third generation power MOSFET |
| Vgs порог макс. | 4.0V |
| Vgs порог мин. | 2.0V |
| Описание | N-Channel Power MOSFET |
| Артикул | IRFL214TRPBF |
| Channel type | N-Channel |
| Макс. IDSS при 25°C | 25µA |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Код маркировки | FD |
| Конфигурация | Single |
| IDSS макс. 125°C | 250µA |
| Непрерывный | 0.79A |
| Tj tstg range | -55 to +150°C |
| Задержка включения | 7.0ns |
| Тип упаковки | Tape and Reel |
| Задержка выключения | 16ns |
| Номер документа | 91194 |
| Заряд сток-затвор | 4.5nC |
| Ток стока непрерывный 25C | 0.79A |
| Вх. емкость | 140pF |
| Полный заряд затвора | 8.2nC |
| Body diode voltage | 2.0V |
| Заряд затвор-исток | 1.8nC |
| Непрерывный ток 100°C | 0.50A |
| Выходная емкость | 42pF |
| Qg test conditions | ID=2.7A, VDS=200V, VGS=10V |
| Структура | N-канал |
| Gate source leakage | ±100nA |
| Gfs test conditions | VDS=50V, ID=0.47A |
| Soldering peak temp | 300°C for 10s |
| Темп. хранения | -55 to +150°C |
| Vsd test conditions | TJ=25°C, IS=0.79A, VGS=0V |
| Drain current pulsed | 6.3A |
| Idss test conditions | VDS=250V/200V, VGS=0V |
| Igss test conditions | VGS=±20V |
| Pd max pcb mount 25c | 2.0W |
| Vds temp coefficient | 0.39V/°C |
| Voltage drain source | 250V |
| Dv dt test conditions | ISD≤2.7A, dI/dt≤65A/µs, VDD≤VDS, TJ≤150°C |
| Power dissipation pcb | 2.0W |
| Rthja test conditions | PCB Mount, 1" square PCB (FR-4 or G-10) |
| Gate threshold voltage | 2.0V to 4.0V |
| Коэффициент снижения мощности | 0.025W/°C |
| Power dissipation case | 3.1W |
| Rds on test conditions | VGS=10V, ID=0.47A |
| Vgs th test conditions | VDS=VGS, ID=250µA |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Ordering info lead free | SiHFL214-E3, SiHFL214T-E3 |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Drain source leakage 25c | 25µA |
| Прямая крутизна | 0.50S |
| Drain source leakage 125c | 250µA |
| Dv dt peak diode recovery | 4.8V/ns |
| Internal drain inductance | 4.0nH |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 4.8V/ns |
| Switching test conditions | VDD=125V, ID=2.7A, Rg=24Ω, RD=45Ω |
| Body diode test conditions | TJ=25°C, IF=2.7A, dI/dt=100A/µs |
| Drain source on resistance | 2.0Ω |
| Internal source inductance | 6.0nH |
| Условия теста емкости | VGS=0V, VDS=25V, f=1.0MHz |
| Энергия лавины | 0.31mJ |
| Drain current continuous 25c | 0.79A |
| Repetitive avalanche current | 0.79A |
| Обратная проходная емкость | 9.6pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223 |
| Avalanche energy single pulse | 50mJ |
| Drain current continuous 100c | 0.50A |
| Рабочая температура перехода | -55 to +150°C |
| Body diode reverse recovery time | 190ns (typ), 390ns (max) |
| Linear derating factor pcb mount | 0.017W/°C |
| Body diode reverse recovery charge | 0.64µC (typ), 1.3µC (max) |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 40°C/W |
| Ordering info lead free halogen free | SiHFL214-GE3, SiHFL214TR-GE3, IRFL214PbF, IRFL214TRPbF |
| Vds temp coefficient test conditions | Reference to 25°C, ID=1mA |
| Thermal resistance junction to ambient pcb | 60°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.79 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.1 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?