Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.5А 3.1Вт
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
5 340 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:4 970 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 14 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 51,75 |
| от 67 | 47,99 |
| от 133 | 45,00 |
| от 266 | 42,39 |
| от 531 | 40,63 |
Склад 12
В наличии:370 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 500 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 40,37 |
| от 50 | 37,36 |
| от 500 | 36,03 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от Vishay. Работает при напряжении до 100 В и токе до 1.5 А, рассеиваемая мощность — 3.1 Вт. Выпускается в компактном корпусе SOT-223 для поверхностного монтажа. Подходит для импульсных источников питания и цепей управления в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Корпус | SOT-223 |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 9.4ns |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 16ns |
| Rds(вкл) макс. | 0.54Ω |
| Технология | N-channel MOSFET |
| Код маркировки | FB |
| Конфигурация | Single |
| Тип. время спада | 9.4ns |
| Тип. время нарастания | 16ns |
| Задержка включения | 6.9ns |
| Device marking | FB |
| Задержка выключения | 15ns |
| Rds on condition | VGS=10V, ID=0.9A |
| Заряд сток-затвор | 3.8nC |
| Вх. емкость | 180pF |
| Полный заряд затвора | 8.3nC |
| Заряд затвор-исток | 2.3nC |
| Выходная емкость | 81pF |
| Структура | N-канал |
| Напряжение сток-исток | 100V |
| Импульсный ток стока | 12A |
| Мин. пробойное напр. | 100V |
| Gate drain charge max | 3.8nC |
| Тип. входная емкость | 180pF |
| Power dissipation pcb | 2.0W |
| Threshold voltage max | 4.0V |
| Threshold voltage min | 2.0V |
| Заряд затвора макс. | 8.3nC |
| Body diode voltage max | 2.5V |
| Gate source charge max | 2.3nC |
| Коэффициент снижения мощности | 0.025W/°C |
| Выходная емкость тип. | 81pF |
| Power dissipation case | 3.1W |
| Время задержки вкл. тип. | 6.9ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Заряд обратного восстановления | 0.44μC |
| Время задержки выкл. тип. | 15ns |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Макс. напряжение сток-исток | 100V |
| Прямая крутизна | 1.1S |
| Peak diode recovery dvdt | 5.5V/ns |
| Body diode pulsed current | 12A |
| Internal drain inductance | 4nH |
| Макс. время обрат. восстановления | 200ns |
| Тип. время восст. | 100ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Internal source inductance | 6nH |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Linear derating factor pcb | 0.017W/°C |
| Power dissipation at tc25c | 3.1W |
| Avalanche energy repetitive | 0.31mJ |
| Linear derating factor case | 0.025W/°C |
| Reverse recovery charge max | 0.88μC |
| Тип. заряд восст. | 0.44μC |
| Avalanche current repetitive | 1.5A |
| Длительный ток стока 25°C | 1.5A |
| Forward transconductance typ | 1.1S |
| Обратная проходная емкость | 15pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 |
| Avalanche energy single pulse | 150mJ |
| Body diode continuous current | 1.5A |
| Непрерывный ток стока 100°C | 0.96A |
| Внутр. индуктивность стока | 4.0nH |
| Энергия одиноч. импульса | 150mJ |
| Body diode forward voltage max | 2.5V |
| Макс. Rси вкл. | 0.54Ω |
| Internal source inductance typ | 6.0nH |
| Power dissipation at ta25c pcb | 2.0W |
| Continuous drain current at 25c | 1.5A |
| Repetitive avalanche energy max | 0.31mJ |
| Continuous drain current at 100c | 0.96A |
| Linear derating factor pcb mount | 0.017W/°C |
| Repetitive avalanche current max | 1.5A |
| Обр. проходная емкость тип. | 15pF |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 40°C/W |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 60°C/W |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 40°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient pcb | 60°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.1 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?