Документация
Транзистор IRFL024NTRPBF
У поставщика
Описание
Транзистор полевой MOSFET от Infineon. Работает с напряжением до 55 В и током до 4 А, имеет сопротивление открытого канала 0,1 Ом. Выпускается в компактном корпусе SOT-223. Подходит для коммутации нагрузок в бытовой электронике и импульсных источниках питания.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel Power MOSFET |
| Gfs min | 3.0S |
| Корпус | SOT-223 |
| Qgd max | 7.7nC |
| Qgs max | 3.0nC |
| Qrr max | 75nC |
| Макс. время обратного восстановления | 53ns |
| Макс. Vds | 55V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Тип монтажа | SMD |
| V(BR)DSS | 55V |
| V sd max | 1.0V |
| Время спада | 17.7ns |
| Ток стока импульсный | 11.2A |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 13.4ns |
| Rds(вкл) макс. | 0.075Ω |
| Технология | HEXFET |
| Tf typical | 17.7ns |
| Tr typical | 13.4ns |
| Vgs порог макс. | 4.0V |
| Vgs порог мин. | 2.0V |
| Артикул | IRFL024NTRPBF |
| Qrr typical | 50nC |
| Trr typical | 35ns |
| Ciss typical | 400pF |
| Coss typical | 145pF |
| Crss typical | 60pF |
| Dv dt rating | 5.0V/ns |
| Макс. IDSS при 25°C | 25µA |
| Qg total max | 18.3nC |
| IDSS макс. 125°C | 250µA |
| Td on typical | 8.1ns |
| EAR повторяющийся | 0.1mJ |
| Td off typical | 22.2ns |
| Одиночный импульс EAS | 214mJ |
| Лавинный ток | 2.8A |
| Заряд сток-затвор | 7.7nC |
| Вх. емкость | 400pF |
| Макс. R вкл. | 0.075Ω |
| Полный заряд затвора | 18.3nC |
| Заряд затвор-исток | 3.0nC |
| Выходная емкость | 145pF |
| Время задержки включения | 8.1ns |
| Структура | N-канал |
| Время задержки выключения | 22.2ns |
| Id continuous ta 25c | 2.8A |
| Id continuous ta 70c | 2.3A |
| Импульсный ток стока | 11.2A |
| Напр. диода | 1.0V |
| Iar avalanche current | 2.8A |
| Время обратного восстановления | 35ns |
| Коэффициент снижения мощности | 8.3mW/°C |
| Pd ta 25c 1inch copper | 2.1W |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Iss forward leakage max | 100nA |
| Iss reverse leakage max | -100nA |
| Pd ta 25c min footprint | 1.0W |
| Заряд обратного восстановления | 50nC |
| Макс. напряжение сток-исток | 55V |
| Прямая крутизна | 3.0S |
| On resistance conditions | VGS=10V, ID=2.8A |
| Delta v br dss temp coeff | 0.056V/°C |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 5.0V/ns |
| Power dissipation 25c fr4 | 1.0W |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.0V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Энергия лавины | 0.1mJ |
| Power dissipation 25c 1inch2 | 2.1W |
| Обратная проходная емкость | 60pF |
| Derating factor min footprint | 8.3mW/°C |
| Энергия одиноч. импульса | 214mJ |
| Continuous drain current 25c fr4 | 2.8A |
| Continuous drain current 70c fr4 | 2.3A |
| Pulsed source current body diode | 11.2A |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Continuous drain current 25c 1inch2 | 4.0A |
| Continuous source current body diode | 4.0A |
| Thermal resistance ja 1inch copper max | 60°C/W |
| Thermal resistance ja 1inch copper typ | 50°C/W |
| Thermal resistance ja min footprint max | 120°C/W |
| Thermal resistance ja min footprint typ | 90°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient fr4 max | 120°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient fr4 typ | 90°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient 1inch2 max | 60°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient 1inch2 typ | 50°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.1 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?