Документация
Транзистор полевой IRFL024NTRPBF / N-канал, SOT-223, 4А, 55В
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
2 033 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 032 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 223,20 |
| от 35 | 211,86 |
| от 70 | 204,27 |
| от 139 | 197,59 |
| от 277 | 193,09 |
Склад 12
В наличии:1 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 27,95 |
| от 100 | 22,83 |
Описание
Транзистор полевой (MOSFET) N-канальный от Infineon. Выполнен в компактном корпусе SOT-223, рассчитан на ток до 4 А и напряжение до 55 В. Предназначен для коммутации и управления нагрузкой в цепях постоянного тока, отличается низким сопротивлением открытого канала.
Технические характеристики
| Корпус | SOT-223 |
| Особенности | Surface Mount, Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance, Dynamic dv/dt Rating, Fast Switching, Fully Avalanche Rated, Lead-Free |
| Тип монтажа | SMD |
| Технология | HEXFET Power MOSFET |
| Артикул | IRFL024NPbF |
| Fall time tf | 17.7ns (typ) |
| Rise time tr | 13.4ns (typ) |
| Total gate charge qg | 18.3nC (max) |
| Avalanche current iar | 2.8A |
| Gate drain charge qgd | 7.7nC (max) |
| Gate source charge qgs | 3.0nC (max) |
| Input capacitance ciss | 400pF (typ) |
| Output capacitance coss | 145pF (typ) |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Pulsed drain current idm | 11.2A |
| Turn on delay time td on | 8.1ns (typ) |
| Diode forward voltage vsd | 1.0V (max) |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 5.0V/ns |
| Pulsed source current ism | 11.2A (max) |
| Reverse recovery time trr | 35ns (typ), 53ns (max) |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Turn off delay time td off | 22.2ns (typ) |
| Gate source voltage vgs max | ±20V |
| Reverse recovery charge qrr | 50nC (typ), 75nC (max) |
| Continuous source current is | 2.8A (max) |
| Drain source voltage vds max | 55V |
| Forward transconductance gfs | 3.0S (min) |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223 |
| Gate threshold voltage vgs th | 2.0V to 4.0V |
| Repetitive avalanche energy ear | 0.1mJ |
| Reverse transfer capacitance crss | 60pF (typ) |
| Single pulse avalanche energy eas | 214mJ |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 0.056V/°C |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to +150°C |
| Drain source breakdown voltage vbr dss | 55V (min) |
| Gate source leakage current igss vgs20v | 100nA (max) |
| Gate source leakage current igss vgs-20v | -100nA (max) |
| Drain source leakage current idss vds55v vgs0v | 25µA (max) |
| Linear derating factor pcb mount min footprint | 8.3mW/°C |
| Power dissipation pd ta25 pcb mount 1inch square | 2.1W |
| Power dissipation pd ta25 pcb mount min footprint | 1.0W |
| Drain source leakage current idss vds44v vgs0v tj125c | 250µA (max) |
| Static drain source on resistance rds on vgs10v id2.8a | 0.075Ω (max) |
| Thermal resistance junction to ambient pcb mount 1inch square | 60°C/W (max), 50°C/W (typ) |
| Continuous drain current id ta25 vgs10v pcb mount 1inch square | 4.0A |
| Thermal resistance junction to ambient pcb mount min footprint | 120°C/W (max), 90°C/W (typ) |
| Continuous drain current id ta25 vgs10v pcb mount min footprint | 2.8A |
| Continuous drain current id ta70 vgs10v pcb mount min footprint | 2.3A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?