Документация
Транзистор полевой IRFL014TRPBF / N-канал, SOT-223, 22А, 60В
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
684 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:684 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 22 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 32,67 |
| от 22 | 31,67 |
| от 43 | 30,27 |
| от 85 | 28,29 |
| от 170 | 26,09 |
Описание
Транзистор полевой (MOSFET) N-канального типа от производителя Vishay. Компонент выполнен в компактном корпусе SOT-223, рассчитан на ток до 22 А и напряжение до 60 В. Предназначен для применения в схемах коммутации нагрузки, DC/DC-преобразователях и цепях управления питанием, где требуется высокая эффективность переключения.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel Power MOSFET |
| Корпус | SOT-223 |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 19ns typ |
| Время нарастания | 50ns typ |
| Артикул | IRFL014TRPBF |
| Код маркировки | FA |
| Конфигурация | Single |
| Заряд сток-затвор | 5.8nC max |
| Вх. емкость | 300pF typ |
| Рассеиваемая мощность | 3.1W @ Tc=25°C; 2.0W @ PCB mount Ta=25°C |
| Полный заряд затвора | 11nC max |
| Body diode voltage | 1.6V max @ Is=2.7A, Vgs=0V |
| Заряд затвор-исток | 3.1nC max |
| Выходная емкость | 160pF typ |
| Время задержки включения | 10ns typ |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 13ns typ |
| Напряжение сток-исток | 60V |
| Импульсный ток стока | 22A |
| Коэффициент снижения мощности | 0.025W/°C; 0.017W/°C (PCB mount) |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Continuous drain current | 2.7A @ Tc=25°C; 1.7A @ Tc=100°C |
| Прямая крутизна | 1.9S min |
| Internal drain inductance | 4.0nH typ |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 4.5V/ns |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Internal source inductance | 6.0nH typ |
| Пиковая температура пайки | 300°C (for 10s, 1.6mm from case) |
| Gate source leakage current | ±100nA max |
| Диап. раб. темп. | -55°C to +150°C |
| Pulsed diode forward current | 22A |
| Обратная проходная емкость | 29pF typ |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
| Gate source threshold voltage | 2.0V to 4.0V |
| Энергия одиноч. импульса | 100mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 60V min |
| Zero gate voltage drain current | 25µA max @ Vds=60V; 250µA max @ 125°C |
| Body diode reverse recovery time | 70ns typ, 140ns max |
| Drain source on state resistance | 0.20Ω max @ Vgs=10V, Id=1.6A |
| Body diode reverse recovery charge | 0.20µC typ, 0.40µC max |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 40°C/W max |
| Continuous source drain diode current | 2.7A |
| Термосопротивление переход-среда | 60°C/W max (PCB mount) |
| Breakdown voltage temperature coefficient | 0.068V/°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?