Документация
ТРАНЗИСТОРЫ IRFL014NTRPBF, Транзистор N-канальный Infineon Technologies, 55В, 1.9А, корпус SOT-223
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
1 291 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 291 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 16 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 46,10 |
| от 30 | 44,99 |
| от 59 | 43,47 |
| от 117 | 41,40 |
| от 233 | 39,13 |
Описание
N-канальный полевой транзистор (MOSFET) от Infineon Technologies. Предназначен для коммутации и управления нагрузкой в цепях постоянного тока. Отличается низким сопротивлением открытого канала и высокой скоростью переключения. Компонент выпускается в компактном корпусе SOT-223 для поверхностного монтажа.
Технические характеристики
| Серия | IRFL014, SiHFL014 |
| Тип | MOSFET |
| Ток, А | 2.7 А |
| Корпус | SOT-223 |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 19ns |
| Время нарастания | 50ns |
| Технология | Third generation power MOSFET |
| Описание | N-Channel Power MOSFET |
| Артикул | IRFL014NTRPBF |
| Channel type | N-Channel |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Код маркировки | FA |
| Конфигурация | Single |
| Мощность, Вт | 2,1 |
| Заряд сток-затвор | 5.8nC |
| Вх. емкость | 300pF |
| Полный заряд затвора | 11nC |
| Body diode voltage | 1.6V |
| Заряд затвор-исток | 3.1nC |
| Выходная емкость | 160pF |
| Время задержки включения | 10ns |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 13ns |
| Напряжение сток-исток | 60V |
| Forward turn on time | negligible |
| Импульсный ток стока | 22A |
| Коэффициент снижения мощности | 0.025W/°C |
| Прямая крутизна | 1.9S |
| Power dissipation tc 25c | 3.1W |
| Internal drain inductance | 4.0nH |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 4.5V/ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Switching test conditions | VDD=30V, ID=10A, Rg=24Ω, RD=2.7Ω |
| Internal source inductance | 6.0nH |
| Ordering info lead pb free | IRFL014TRPbF |
| Пиковая температура пайки | 300°C for 10s |
| Условия теста емкости | VGS=0V, VDS=25V, f=1.0MHz |
| Gate charge test conditions | ID=10A, VDS=48V, VGS=10V |
| Gate source leakage current | ±100nA |
| Pulsed diode forward current | 22A |
| Обратная проходная емкость | 29pF |
| Gate source threshold voltage | 2.0V to 4.0V |
| Энергия одиноч. импульса | 100mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 60V |
| Рабочая температура перехода | -55 to +150°C |
| Continuous drain current tc 25c | 2.7A |
| Body diode reverse recovery time | 70ns to 140ns |
| Continuous drain current tc 100c | 1.7A |
| Drain source on state resistance | 0.20Ω |
| Linear derating factor pcb mount | 0.017W/°C |
| Body diode reverse recovery charge | 0.20µC to 0.40µC |
| Body diode voltage test conditions | TJ=25°C, IS=2.7A, VGS=0V |
| Power dissipation pcb mount ta 25c | 2.0W |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 40°C/W |
| Zero gate voltage drain current 25c | 25µA |
| Zero gate voltage drain current 125c | 250µA |
| Continuous source drain diode current | 2.7A |
| Ordering info lead pb free halogen free | SiHFL014TR-GE3 |
| Forward transconductance test conditions | VDS=25V, ID=1.6A |
| Body diode reverse recovery test conditions | TJ=25°C, IF=10A, dI/dt=100A/µs |
| Drain source breakdown voltage temp coefficient | 0.068V/°C |
| Drain source on state resistance test conditions | VGS=10V, ID=1.6A |
| Thermal resistance junction to ambient pcb mount | 60°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?