Документация
Транзистор IRFI830GPBF
У поставщика
У поставщиков
183 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:183 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 68,40 |
| от 6 | 67,13 |
| от 10 | 65,30 |
| от 20 | 63,03 |
| от 50 | 60,33 |
Описание
Транзистор IRFI830GPBF от Vishay — это мощный полевой MOSFET с изолированным корпусом. Предназначен для применения в высоковольтных импульсных источниках питания и преобразователях. Отличается повышенной надёжностью и устойчивостью к перегрузкам.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel MOSFET |
| Корпус | TO-220 FULLPAK |
| Тип монтажа | Выводной |
| Без свинца | Yes (IRFI830GPbF) |
| Артикул | IRFI830GPBF |
| Конфигурация | Single |
| Тип. время спада | 16 ns |
| Тип монтажа | THT |
| Тип. время нарастания | 16 ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m) |
| Путь утечки | 4.8 mm |
| Напр. изоляции | 2.5 kV RMS |
| Рассеиваемая мощность | 35W |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Напряжение сток-исток | 500V |
| Импульсный ток стока | 12A |
| Gate drain charge max | 22 nC |
| Тип. входная емкость | 610 pF |
| Изол. напр. RMS | 2.5 kV RMS (t=60s, f=60Hz) |
| Заряд затвора макс. | 38 nC |
| Gate source charge max | 5.0 nC |
| Коэффициент снижения мощности | 0.28 W/°C |
| Выходная емкость тип. | 160 pF |
| Время задержки вкл. тип. | 8.2 ns |
| Время задержки выкл. тип. | 42 ns |
| Прямая крутизна | 2.0 S |
| Maximum power dissipation | 35W |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 3.5 V/ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150 °C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.0V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150 °C |
| Пиковая температура пайки | 300°C for 10s |
| Gate source leakage current | ±100 nA |
| Энергия лавины | 3.5 mJ |
| Длительный ток стока 25°C | 3.1A |
| Repetitive avalanche current | 3.1A |
| Непрерывный ток стока 100°C | 2.0A |
| Drain to sink capacitance typ | 12 pF |
| Внутр. индуктивность стока | 4.5 nH |
| Энергия одиноч. импульса | 180 mJ |
| Body diode forward voltage max | 1.6V |
| Напряжение пробоя сток-исток | 500V |
| Макс. Rси вкл. | 1.5 Ω |
| Internal source inductance typ | 7.5 nH |
| Обр. проходная емкость тип. | 68 pF |
| Gate source threshold voltage max | 4.0V |
| Gate source threshold voltage min | 2.0V |
| Pulsed source drain diode current | 12A |
| Zero gate voltage drain current 25c | 25 µA |
| Body diode reverse recovery time max | 640 ns |
| Body diode reverse recovery time typ | 320 ns |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Thermal resistance junction case max | 3.6 °C/W |
| Zero gate voltage drain current 125c | 250 µA |
| Continuous source drain diode current | 3.1A |
| Body diode reverse recovery charge max | 2.0 µC |
| Body diode reverse recovery charge typ | 1.0 µC |
| Thermal resistance junction ambient max | 65 °C/W |
| Макс. тепловое сопротивление переход-корпус | 3.6 °C/W |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 65 °C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?