Документация
IRFI1010N
У поставщика
ПроизводительIR/Vishay
У поставщиков
5 шт.
Норм. уп.: 2
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:5 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2
Минимальная партия: 2 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 51,75 |
| от 2 | 46,06 |
| от 20 | 44,72 |
Описание
Мощный N-канальный MOSFET от IR/Vishay в изолированном корпусе TO-220 FULLPAK. Выдерживает напряжение до 55 В и импульсный ток до 43 А, рассеивая до 58 Вт. Благодаря изоляции 2.5 кВ подходит для промышленной автоматики и источников питания.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel MOSFET |
| Корпус | TO-220 FULLPAK |
| Тип монтажа | THT |
| Артикул | IRFI1010N |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m) |
| Путь утечки | 4.8mm |
| Тип. время спада | 46ns |
| Напр. изоляции | 2.5KVRMS |
| Тип. время нарастания | 66ns |
| Avalanche current max | 43A |
| Gate drain charge max | 53nC |
| Макс. рассеиваемая мощность | 58W |
| Температура пайки | 300°C for 10s |
| Заряд затвора макс. | 130nC |
| Gate source charge max | 23nC |
| Коэффициент снижения мощности | 0.38 W/°C |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Макс. напряжение сток-исток | 55V |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Темп. перехода мин. | -55°C |
| Pulsed drain current max | 290A |
| Типовая входная емкость | 2900pF |
| Pulsed source current max | 290A |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 175°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.0V |
| Тип. выходная емкость | 880pF |
| Turn on delay time typical | 11ns |
| Turn off delay time typical | 40ns |
| Длительный ток стока 25°C | 49A |
| Forward transconductance min | 30S |
| Непрерывный ток стока 100°C | 35A |
| Continuous source current max | 49A |
| Peak diode recovery dv dt max | 5.0V/ns |
| Макс. Rси вкл. | 0.012Ω |
| Diode reverse recovery time max | 120ns |
| Gate source leakage current max | 100nA |
| Repetitive avalanche energy max | 5.8mJ |
| Avalanche energy single pulse max | 360mJ |
| Diode reverse recovery charge max | 370nC |
| Drain to sink capacitance typical | 12pF |
| Diode reverse recovery time typical | 81ns |
| Drain source leakage current max 25c | 25µA |
| Reverse transfer capacitance typical | 330pF |
| Thermal resistance junction case max | 2.6°C/W |
| Diode reverse recovery charge typical | 240nC |
| Drain source leakage current max 150c | 250µA |
| Source drain diode forward voltage max | 1.3V |
| Thermal resistance junction ambient max | 65°C/W |
| Breakdown voltage temperature coefficient | 0.06 V/°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?