Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7А 1.3Вт, 0.2 Ом
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
84 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:84 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 72,63 |
| от 18 | 71,25 |
| от 36 | 69,41 |
| от 72 | 66,84 |
| от 200 | 63,70 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от Vishay. Работает при напряжении до 60 В, токе до 1.7 А и мощности 1.3 Вт, сопротивление открытого канала — 0.2 Ом. Выполнен в корпусе DIP-4. Подходит для импульсных источников питания и схем управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Шаг | 0.100" (2.54mm) typ |
| Канал (N/P) | N-Channel |
| Корпус | HVMDIP (4-pin DIP) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 19ns |
| Кол-во выводов | 4 |
| Время нарастания | 50ns |
| Размеры | A: 0.310-0.330in (7.87-8.38mm), E: 0.300-0.425in (7.62-10.79mm), L: 0.270-0.290in (6.86-7.36mm) |
| Конфигурация | Single |
| Соотв. RoHS | Yes (Pb-free terminations) |
| Заряд сток-затвор | 5.8nC |
| Вх. емкость | 310pF |
| Полный заряд затвора | 11nC |
| Body diode voltage | 1.6V |
| Заряд затвор-исток | 3.1nC |
| Выходная емкость | 160pF |
| Время задержки включения | 10ns |
| Gate source leakage | ±100nA |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 13ns |
| Напряжение сток-исток | 60V |
| Импульсный ток стока | 14A |
| Gate threshold voltage | 2.0V to 4.0V |
| Коэффициент снижения мощности | 0.0083W/°C |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 0.96S |
| Peak diode recovery dvdt | 4.5V/ns |
| Internal drain inductance | 4nH |
| Max power dissipation 25c | 1.3W |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +175°C |
| Drain source on resistance | 0.2Ω |
| Internal source inductance | 6nH |
| Пиковая температура пайки | 300°C for 10s |
| Диап. раб. темп. | -55°C to +175°C |
| Длительный ток стока 25°C | 1.7A |
| Pulsed diode forward current | 14A |
| Обратная проходная емкость | 37pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-Pin HVMDIP |
| Непрерывный ток стока 100°C | 1.2A |
| Энергия одиноч. импульса | 130mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 60V |
| Body diode reverse recovery time | 140ns |
| Body diode reverse recovery charge | 0.40µC |
| Zero gate voltage drain current 25c | 25µA |
| Zero gate voltage drain current 150c | 250µA |
| Continuous source drain diode current | 1.7A |
| Термосопротивление переход-среда | 120°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?