Документация
Транзистор IRFB4310PBF
У поставщика
У поставщиков
40 шт.
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 3 | 131,41 |
| от 6 | 127,60 |
| от 12 | 125,70 |
| от 25 | 120,94 |
Цены поставщиков
РадиоЧип
В наличии:40 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 3 | 131,41 |
| от 6 | 127,60 |
| от 12 | 125,70 |
| от 25 | 120,94 |
Описание
Транзистор IRFB4310PBF от Infineon — мощный N-канальный MOSFET в корпусе TO-220AB для монтажа в отверстия. Выдерживает импульсный ток до 550 А и рассеивает до 300 Вт, имеет низкое сопротивление открытого канала. Подходит для импульсных источников питания, силовых преобразователей и промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Тип | Power MOSFET |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | THT |
| Время спада | 78 ns |
| Время нарастания | 110 ns |
| Артикул | IRFB4310PBF |
| Момент затяжки | 10 lb·in (1.1 N·m) |
| Лавинный ток | See Fig. 14, 15, 22a, 22b |
| Вх. емкость | 7670 pF |
| Заряд затвор-исток | 46 nC |
| Выходная емкость | 540 pF |
| Время задержки включения | 26 ns |
| Время задержки выключения | 68 ns |
| Импульсный ток стока | 550A |
| Напр. диода | 1.3V |
| Gate input resistance | 1.4 Ω |
| Макс. рассеиваемая мощность | 300W |
| Температура пайки | 300°C (for 10 seconds) |
| Заряд затвора макс. | 250 nC |
| Тип. заряд затвора | 170 nC |
| Коэффициент снижения мощности | 2.0 W/°C |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Макс. напряжение сток-исток | 100V |
| Прямая крутизна | 160 S |
| Gate drain miller charge | 62 nC |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 14 V/ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +175°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.0V |
| Прямой ток утечки затвор-исток | 200 nA |
| Обратный ток утечки затвор-исток | -200 nA |
| Длительный ток стока 25°C | 130A |
| Reverse recovery current 25c | 3.3A |
| Обратная проходная емкость | 280 pF |
| Непрерывный ток стока 100°C | 92A |
| Reverse recovery time 25c max | 68 ns |
| Reverse recovery time 25c typ | 45 ns |
| Энергия одиноч. импульса | 980 mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 100V |
| Reverse recovery time 125c max | 83 ns |
| Reverse recovery time 125c typ | 55 ns |
| Reverse recovery charge 25c max | 120 nC |
| Reverse recovery charge 25c typ | 82 nC |
| Тепл. сопр. корпус-рад. | 0.50 °C/W |
| Ток утечки сток-исток при 25°C | 20 µA |
| Pulsed source current body diode | 550A |
| Reverse recovery charge 125c max | 180 nC |
| Reverse recovery charge 125c typ | 120 nC |
| Drain source leakage current 125c | 250 µA |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 0.064 V/°C |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 0.50 °C/W |
| Continuous source current body diode | 130A |
| Макс. сопротивление сток-исток вкл. | 7.0 mΩ |
| Тип. сопротивление сток-исток | 5.6 mΩ |
| Effective output capacitance time related | 720.1 pF |
| Effective output capacitance energy related | 650 pF |
| Thermal resistance junction to ambient to220 | 62 °C/W |