Документация
Транзистор IRFB3607PBF
У поставщика
У поставщиков
4 502 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:3 302 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 16 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 47,54 |
| от 72 | 44,02 |
| от 144 | 41,23 |
| от 287 | 38,78 |
| от 573 | 37,13 |
Склад 38
В наличии:1 200 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 28,74 |
Описание
Транзистор IRFB3607PBF от Infineon — мощный N-канальный MOSFET в корпусе TO-220. Разработан для высокоэффективных силовых цепей, обеспечивая низкое сопротивление открытого канала и высокую коммутационную способность. Применяется в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения и системах управления двигателями.
Технические характеристики
| E ar | 14mJ |
| E as | 120mJ |
| I ar | 46A |
| V gs | ±20V |
| T stg | -55 to +175°C |
| V dss | 75V |
| Семейство | IRFS3607PbF, IRFSL3607PbF |
| Цоколевка | 1: Gate; 2: Drain; 3: Source |
| Gfs min | 115S |
| P d 25c | 140W |
| Корпус | TO-220AB |
| Q g max | 84nC |
| Q g typ | 56nC |
| T f typ | 96ns |
| T r typ | 110ns |
| Benefits | Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness, Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA, Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability |
| Тип монтажа | Выводной |
| Q gd typ | 16nC |
| Q gs typ | 13nC |
| V sd max | 1.3V |
| C iss typ | 3070pF |
| C oss typ | 280pF |
| C rss typ | 130pF |
| I dss max | 20µA |
| I rrm typ | 1.9A |
| I d pulsed | 310A |
| Q sync typ | 40nC |
| T d on typ | 16ns |
| Тип устройства | HEXFET Power MOSFET |
| I sm pulsed | 310A |
| Артикул | IRFB3607PbF |
| R ds on max | 9.0mOhm |
| R ds on typ | 7.34mOhm |
| R g int typ | 0.55Ohm |
| R th cs typ | 0.50°C/W |
| R th jc max | 1.045°C/W |
| T d off typ | 43ns |
| V gs th max | 4.0V |
| V gs th min | 2.0V |
| Применение | High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, Uninterruptible Power Supply, High Speed Power Switching, Hard Switched and High Frequency Circuits |
| Q rr max 25c | 48nC |
| Q rr typ 25c | 32nC |
| T on forward | negligible (dominated by LS+LD) |
| T rr max 25c | 50ns |
| T rr typ 25c | 33ns |
| V br dss min | 75V |
| Q rr max 125c | 71nC |
| Q rr typ 125c | 47nC |
| T j operating | -55 to +175°C |
| T rr max 125c | 59ns |
| T rr typ 125c | 39ns |
| I dss 125c max | 250µA |
| I s continuous | 80A |
| Момент затяжки | 10lb·in (1.1N·m) |
| C oss eff er typ | 380pF |
| C oss eff tr typ | 610pF |
| I gss forward max | 100nA |
| I gss reverse max | -100nA |
| R th ja d2pak max | 40°C/W |
| R th ja to220 max | 62°C/W |
| I d continuous 25c | 80A |
| I d continuous 100c | 56A |
| V br dss temp coeff | 0.096V/°C |
| Температура пайки | 300°C for 10s (1.6mm from case) |
| Коэффициент снижения мощности | 0.96W/°C |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Dv dt peak diode recovery | 27V/ns |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB |
Заметили ошибку в описании или параметрах?