Документация
Транзистор IRFB3306PBF
У поставщика
У поставщиков
1 831 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 831 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 71,96 |
| от 31 | 66,47 |
| от 50 | 61,99 |
| от 150 | 58,63 |
| от 250 | 56,12 |
Описание
Транзистор IRFB3306PBF производства Infineon — это мощный N-канальный MOSFET в корпусе TO-220. Компонент предназначен для высокоэффективных силовых цепей, обеспечивая низкое сопротивление открытого канала. Применяется в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях и схемах управления двигателями.
Технические характеристики
| GFS | 230S |
| V gs | ±20V |
| C iss | 4520pF |
| C oss | 500pF |
| C rss | 250pF |
| T stg | -55 to +175°C |
| V dss | 60V |
| Цоколевка | 1: Gate; 2: Drain; 3: Source |
| P d 25c | 230W |
| Корпус | TO-220AB |
| T f typ | 77ns |
| T r typ | 76ns |
| Benefits | Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness, Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA, Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability, Lead-Free, RoHS Compliant, Halogen-Free |
| Тип монтажа | Выводной |
| Q gd typ | 26nC |
| Q gs typ | 20nC |
| Q rr 25c | 34nC |
| T rr 25c | 31ns |
| V sd max | 1.3V |
| I rrm 25c | 1.9A |
| Q rr 125c | 45nC |
| T rr 125c | 35ns |
| Q sync typ | 59nC |
| T d on typ | 15ns |
| Описание | HEXFET Power MOSFET |
| I dm pulsed | 620A |
| I sm pulsed | 620A |
| Артикул | IRFB3306PbF |
| R ds on max | 4.2mOhm |
| R ds on typ | 3.3mOhm |
| R th cs typ | 0.50°C/W |
| R th jc max | 0.65°C/W |
| T d off typ | 40ns |
| V gs th max | 4.0V |
| V gs th min | 2.0V |
| Применение | High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, Uninterruptible Power Supply, High Speed Power Switching, Hard Switched and High Frequency Circuits |
| C oss eff er | 720pF |
| C oss eff tr | 880pF |
| R g internal | 0.7Ohm |
| T on forward | negligible (dominated by LS+LD) |
| V br dss min | 60V |
| I dss max 25c | 20µA |
| Q g total max | 120nC |
| Q g total typ | 85nC |
| T j operating | -55 to +175°C |
| I dss max 125c | 250µA |
| I s continuous | 160A |
| Момент затяжки | 10lb·in (1.1N·m) |
| I gss forward max | 100nA |
| I gss reverse max | -100nA |
| R th ja to220 max | 62°C/W |
| V br dss temp coeff | 0.07V/°C |
| R th ja d2pak pcb max | 40°C/W |
| Температура пайки | 300°C for 10s (1.6mm from case) |
| Коэффициент снижения мощности | 1.5W/°C |
| I d silicon limited 25c | 160A |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| I d silicon limited 100c | 110A |
| Dv dt peak diode recovery | 14V/ns |
| I d wire bond limited 25c | 120A |
| E as single pulse avalanche | 184mJ |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB |
Заметили ошибку в описании или параметрах?