Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 6.7A
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
95 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:95 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 73,36 |
| от 11 | 71,78 |
| от 21 | 69,58 |
| от 50 | 66,24 |
| от 100 | 61,79 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канального типа от Vishay. Рабочее напряжение 60 В, ток до 6.7 А, корпус D2Pak (TO-263) для поверхностного монтажа. Подходит для коммутации нагрузки и управления питанием в промышленной автоматике и силовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel MOSFET |
| Корпус | D2PAK (TO-263) |
| Макс. Vds | -60V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Тип монтажа | SMD |
| Ток стока импульсный | -27A |
| Артикул | IRF9Z14SPBF |
| R ds on max | 0.5Ω |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Лавинный ток | -6.7A |
| Тип. время спада | 31ns |
| Тип. время нарастания | 63ns |
| R ds on conditions | V_GS=-10V, I_D=-4.0A |
| Id continuous at 25c | -6.7A |
| Id continuous at 100c | -4.7A |
| Заряд затвора макс. | 12nC |
| Body diode voltage max | -5.5V |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Gate leakage current max | ±100nA |
| Gate drain charge typical | 5.1nC |
| Типовая входная емкость | 270pF |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +175°C |
| Gate source charge typical | 3.8nC |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -2.0V |
| Тип. выходная емкость | 170pF |
| Turn on delay time typical | 11ns |
| Power dissipation at ta 25c | 3.7W |
| Power dissipation at tc 25c | 43W |
| Энергия лавины | 4.3mJ |
| Turn off delay time typical | 10ns |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK |
| Энергия одиноч. импульса | 140mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | -60V |
| Forward transconductance typical | 1.4S |
| Pulsed source drain diode current | -27A |
| Internal source inductance typical | 7.5nH |
| Body diode reverse recovery time max | 160ns |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to +175°C |
| Reverse transfer capacitance typical | 31pF |
| Continuous source drain diode current | -6.7A |
| Body diode reverse recovery charge max | 190nC |
| Макс. тепловое сопротивление переход-корпус | 3.5°C/W |
| Zero gate voltage drain current max 25c | 100μA |
| Body diode reverse recovery time typical | 80ns |
| Zero gate voltage drain current max 150c | 500μA |
| Body diode reverse recovery charge typical | 96nC |
| Thermal resistance junction to ambient typical | 40°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?