Документация
Транзистор полевой IRF9640SPBF
У поставщика
У поставщиков
7 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:7 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 100 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 134,55 |
| от 10 | 125,70 |
Описание
Транзистор полевой IRF9640SPBF от Vishay — P-канальный MOSFET. Работает при напряжении до 200 В и токе до 11 А, рассеиваемая мощность — 125 Вт. Выполнен в корпусе D2PAK. Применяется в импульсных источниках питания и силовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel Power MOSFET |
| Корпус | D2Pak (TO-263) |
| Макс. Vds | -200V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Тип монтажа | SMD |
| Без свинца | Да |
| Rds(вкл) макс. | 0.50Ω at Vgs=-10V, Id=-6.6A |
| Артикул | IRF9640SPBF |
| Без галогенов | Да |
| Конфигурация | Single |
| Тип. время спада | 38ns |
| Тип. время нарастания | 43ns |
| Surface mount | Да |
| Соотв. RoHS | Да |
| Лавинный ток | -11A |
| Структура | P-канал |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Напряжение сток-исток | -200V |
| Импульсный ток стока | -44A |
| Gate drain charge max | 27nC |
| Тип. входная емкость | 1200pF |
| Заряд затвора макс. | 44nC |
| Body diode voltage max | 5.0V at I_S=-11A |
| Gate source charge max | 7.1nC |
| Выходная емкость тип. | 370pF |
| Время задержки вкл. тип. | 14ns |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Время задержки выкл. тип. | 39ns |
| Power dissipation tc 25c | 125W |
| Body diode pulsed current | -44A |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | -5.0 V/ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.0V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Linear derating factor pcb | 0.025 W/°C |
| Linear derating factor case | 1.0 W/°C |
| Энергия лавины | 13mJ |
| Длительный ток стока 25°C | -11A |
| Body diode continuous current | -11A |
| Непрерывный ток стока 100°C | -6.8A |
| Энергия одиноч. импульса | 700mJ |
| Body diode forward voltage max | -5.0V at Is=-11A, Vgs=0 |
| Макс. Rси вкл. | 0.50Ω at V_GS=-10V, I_D=6.6A |
| Maximum power dissipation case | 125W |
| Diode reverse recovery time max | 300ns |
| Diode reverse recovery time typ | 250ns |
| Обр. проходная емкость тип. | 81pF |
| Diode reverse recovery charge max | 3.6μC |
| Diode reverse recovery charge typ | 2.9μC |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Power dissipation pcb mount ta 25c | 3.0W |
| Maximum power dissipation pcb mount | 3.0W |
| Body diode reverse recovery time max | 300ns |
| Body diode reverse recovery time typ | 250ns |
| Body diode reverse recovery charge max | 3.6μC |
| Body diode reverse recovery charge typ | 2.9μC |
| Макс. тепловое сопротивление переход-корпус | 1.0 °C/W |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 62 °C/W |
| Thermal resistance junction to ambient pcb mount max | 40 °C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?