Документация
Транзистор полевой IRF9640PBF / P-канал, TO-220, 11А, 200В
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
540 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:540 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 123,97 |
| от 18 | 115,55 |
| от 35 | 108,68 |
| от 100 | 103,56 |
| от 150 | 99,74 |
Описание
Транзистор полевой P-канала IRF9640PBF от Vishay выполнен в корпусе TO-220. Компонент рассчитан на ток 11 А и напряжение 200 В, что делает его подходящим для коммутации нагрузки и схем управления питанием. Применяется в импульсных источниках питания, преобразователях и силовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 38ns |
| Время нарастания | 43ns |
| Описание | P-Channel Power MOSFET |
| Артикул | IRF9640PBF |
| Channel type | P-Channel |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Конфигурация | Single |
| Соотв. RoHS | Да |
| Момент затяжки | 1.1N·m |
| Заряд сток-затвор | 27nC |
| Вх. емкость | 1200pF |
| Полный заряд затвора | 44nC |
| Body diode voltage | 5V |
| Заряд затвор-исток | 7.1nC |
| Выходная емкость | 370pF |
| Время задержки включения | 14ns |
| Gate source leakage | ±100nA |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 39ns |
| Напряжение сток-исток | -200V |
| Импульсный ток стока | -44A |
| Коэффициент снижения мощности | 1.0W/°C |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 4.1S |
| Peak diode recovery dvdt | -5.0V/ns |
| Internal drain inductance | 4.5nH |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Drain source on resistance | 0.50Ω |
| Internal source inductance | 7.5nH |
| Пиковая температура пайки | 300°C for 10s |
| Энергия лавины | 13mJ |
| Pulsed diode forward current | 44A |
| Repetitive avalanche current | -11A |
| Обратная проходная емкость | 81pF |
| Thermal resistance case sink | 0.50°C/W |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| Continuous drain current tc25 | -11A |
| Gate source threshold voltage | -2.0 to -4.0V |
| Энергия одиноч. импульса | 700mJ |
| Continuous drain current tc100 | -6.8A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -200V |
| Maximum power dissipation tc25 | 125W |
| Рабочая температура перехода | -55 to +150°C |
| Zero gate voltage drain current | 100µA |
| Body diode reverse recovery time | 250 to 300ns |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.0°C/W |
| Body diode reverse recovery charge | 2.9 to 3.6µC |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62°C/W |
| Continuous source drain diode current | 11A |
| Drain source voltage temp coefficient | -0.2V/°C |
| Zero gate voltage drain current tj125 | 500µA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?