Документация
IRF9630PBF
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
3 108 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:3 094 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 65,99 |
| от 50 | 61,36 |
| от 150 | 57,68 |
| от 250 | 54,48 |
| от 500 | 52,30 |
Склад 39
В наличии:14 шт.
Срок поставки: до недели
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 75,07 |
| от 58 | 69,24 |
| от 97 | 65,97 |
| от 161 | 63,37 |
| от 268 | 61,37 |
Описание
Это P-канальный силовой MOSFET от компании Vishay, выполненный в корпусе TO-220AB. Транзистор предназначен для коммутации и управления нагрузкой в цепях с напряжением до 200 В. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала и высокой скорости переключения, модель IRF9630PBF широко применяется в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения и схемах управления двигателями.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel MOSFET |
| Pd макс. | 74W |
| Ток, А | -6.5 А |
| Корпус | TO-220AB |
| Макс. Vds | -200V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Тип монтажа | Выводной |
| Ток стока импульсный | -26A |
| Rds(вкл) макс. | 0.8Ω |
| Vgs порог макс. | 4.0V |
| Vgs порог мин. | 2.0V |
| Тип. время спада | 24ns |
| Тип. время нарастания | 27ns |
| Мощность, Вт | 74 |
| Ток стока непрерывный 25C | -6.5A |
| Turn on delay typ | 12ns |
| Непрерывный ток 100°C | -4.0A |
| Диапазон температур хранения | -55 to 150°C |
| Turn off delay typ | 28ns |
| Напряжение, В | -200 В |
| Avalanche current max | -6.4A |
| Capacitance input typ | 700pF |
| Gate drain charge max | 15nC |
| Заряд затвора макс. | 29nC |
| Capacitance output typ | 200pF |
| Gate source charge max | 5.4nC |
| Коэффициент снижения мощности | 0.59W/°C |
| Capacitance reverse typ | 40pF |
| Gate source leakage max | ±100nA |
| Напр. диода макс. | -6.5V |
| Макс. время обрат. восстановления | 300ns |
| Тип. время восст. | 200ns |
| Avalanche energy single max | 500mJ |
| Reverse recovery charge max | 2.9µC |
| Тип. заряд восст. | 1.9µC |
| Operating junction temp range | -55 to 150°C |
| Напряжение пробоя сток-исток | -200V |
| Avalanche energy repetitive max | 7.4mJ |
| Thermal resistance junction case max | 1.7°C/W |
| Thermal resistance junction ambient max | 62°C/W |
| Zero gate voltage drain current max 25c | 100µA |
| Zero gate voltage drain current max 125c | 500µA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?