Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.5А 40Вт, 1.5 Ом
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
295 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:295 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 117,62 |
| от 21 | 109,40 |
| от 50 | 102,68 |
| от 100 | 97,68 |
| от 200 | 93,94 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный от Vishay. Рабочее напряжение до 200 В, ток до 3.5 А и мощность рассеивания 40 Вт в корпусе TO-220AB. Подходит для коммутации нагрузки и схем управления в импульсных источниках питания и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| T f | 15ns |
| T r | 25ns |
| Q gd | 10nC |
| Q gs | 12nC |
| T d on | 15ns |
| P d max | 40W |
| Корпус | TO-220AB |
| R ds on | 1.5Ω |
| T d off | 20ns |
| Тип монтажа | Выводной |
| V ds max | 200V |
| V gs max | ±20V |
| Q g total | 22nC |
| I d pulsed | 14A |
| I sm pulsed | 14A |
| V gs th max | 4.0V |
| V gs th min | 2.0V |
| Channel type | P-channel |
| Dv dt rating | 5.0V/ns |
| I s continuous | 3.5A |
| Соотв. RoHS | Да |
| Коэф. сниж. | 0.32W/°C |
| Момент затяжки | 1.1N·m |
| Q rr body diode | 1.9μC |
| T rr body diode | 300ns |
| V sd body diode | 7.0V |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Capacitance input | 350pF |
| Capacitance output | 100pF |
| I d continuous 25c | 3.5A |
| Макс. рабочая температура | 150°C |
| Мин. рабочая температура | -55°C |
| Capacitance reverse | 30pF |
| I d continuous 100c | 2.0A |
| Soldering peak temp | 300°C |
| Thermal resistance cs | 0.50°C/W |
| Тепловое сопротивление JA | 62°C/W |
| Тепловое сопротивление JC | 3.1°C/W |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 1.0S |
| Internal drain inductance | 4.5nH |
| Internal source inductance | 7.5nH |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Заметили ошибку в описании или параметрах?