Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8А 60Вт, 0.6 Ом
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 028 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:978 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 61,15 |
| от 21 | 59,90 |
| от 50 | 58,22 |
| от 100 | 55,87 |
| от 200 | 53,11 |
Склад 14
В наличии:50 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
Норм. уп.: 50
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 50 | 64,95 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канального типа от Vishay. Рабочее напряжение до 100 В, ток до 6.8 А и мощность 60 Вт, корпус TO-220AB. Подходит для схем управления питанием и коммутации нагрузки в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Полярность | P-Channel |
| Без свинца | Да |
| Технология | Power MOSFET |
| Артикул | IRF9610PBF |
| Конфигурация | Single |
| Тип. время спада | 8.0ns |
| Тип. время нарастания | 15ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Коэф. сниж. | 0.16 W/°C |
| Gate drain charge max | 4.0nC |
| Тип. входная емкость | 170pF |
| Макс. рассеиваемая мощность | 20W |
| Заряд затвора макс. | 11nC |
| Gate source charge max | 7.0nC |
| Выходная емкость тип. | 50pF |
| Время задержки вкл. тип. | 8.0ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Время задержки выкл. тип. | 10ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Макс. напряжение сток-исток | -200V |
| Pulsed drain current max | -7.0A |
| Forward transconductance min | 0.90S |
| Test condition on resistance | V_GS=-10V, I_D=-0.90A |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| Body diode forward voltage max | -5.8V |
| Макс. Rси вкл. | 3.0Ω |
| Continuous drain current at 25c | -1.8A |
| Continuous drain current at 100c | -1.0A |
| Обр. проходная емкость тип. | 15pF |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Body diode reverse recovery time max | 360ns |
| Body diode reverse recovery time typ | 240ns |
| Body diode reverse recovery charge max | 2.6µC |
| Body diode reverse recovery charge typ | 1.7µC |
| Макс. тепловое сопротивление переход-корпус | 6.4°C/W |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 62°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?