Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 19A
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
515 шт.
Норм. уп.: 800
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:515 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 800
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 184,56 |
| от 5 | 181,59 |
| от 9 | 177,59 |
| от 17 | 171,64 |
| от 33 | 162,36 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канального типа от Vishay. Работает при напряжении до 100 В и токе до 19 А, выпускается в корпусе D2Pak (TO-263) для поверхностного монтажа. Подходит для импульсных источников питания и схем управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Сопротивление сток-исток | 0.20Ω |
| Серия | IRF9540S, SiHF9540S |
| Корпус | D2PAK (TO-263) |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 57ns |
| Кол-во выводов | 3 |
| Rds on id | -11A |
| Время нарастания | 73ns |
| Rds on vgs | -10V |
| Описание | P-Channel Power MOSFET |
| Артикул | IRF9540STRLPBF |
| Channel type | P-Channel |
| Без галогенов | Да |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Fast switching | Да |
| Соотв. RoHS | Да |
| Avalanche rated | Да |
| Заряд сток-затвор | 29nC |
| Вх. емкость | 1400pF |
| Полный заряд затвора | 61nC |
| Body diode voltage | -5.0V |
| Заряд затвор-исток | 14nC |
| Выходная емкость | 590pF |
| Время задержки включения | 16ns |
| Gate source leakage | ±100nA |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Темп. хранения | -55 to +175°C |
| Время задержки выключения | 34ns |
| Drain source leakage | -100μA |
| Напряжение сток-исток | -100V |
| Импульсный ток стока | -72A |
| Коэффициент снижения мощности | 1.0W/°C |
| Power dissipation tc25 | 150W |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 6.2S |
| Internal drain inductance | 4.5nH |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | -5.5V/ns |
| Drain source leakage tj150 | -500μA |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -2.0V |
| Internal source inductance | 7.5nH |
| Пиковая температура пайки | 300°C |
| Power dissipation pcb mount | 3.7W |
| Энергия лавины | 15mJ |
| Pulsed diode forward current | -72A |
| Repetitive avalanche current | -19A |
| Обратная проходная емкость | 140pF |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK |
| Continuous drain current tc25 | -19A |
| Энергия одиноч. импульса | 640mJ |
| Continuous drain current tc100 | -13A |
| Рабочая температура перехода | -55 to +175°C |
| Body diode reverse recovery time | 130ns |
| Linear derating factor pcb mount | 0.025W/°C |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.0°C/W |
| Body diode reverse recovery charge | 0.35nC |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 40°C/W |
| Continuous source drain diode current | -19A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?