Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 19А 150Вт, 0.2 Ом
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
955 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:950 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 100,03 |
| от 21 | 93,02 |
| от 50 | 87,31 |
| от 100 | 83,05 |
| от 200 | 79,88 |
Склад 14
В наличии:5 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
Норм. уп.: 50
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 50 | 78,95 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный от Vishay. Рабочее напряжение до 100 В, ток до 19 А, мощность рассеивания 150 Вт, сопротивление открытого канала 0,2 Ом, корпус TO-220AB. Подходит для схем управления нагрузкой, импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 57ns |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 73ns |
| Описание | P-Channel Power MOSFET |
| Артикул | IRF9540PBF |
| Соотв. RoHS | Да |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m) |
| Заряд сток-затвор | 29nC |
| Вх. емкость | 1400pF |
| Полный заряд затвора | 61nC |
| Body diode voltage | -5.0V |
| Заряд затвор-исток | 14nC |
| Выходная емкость | 590pF |
| Время задержки включения | 16ns |
| Gate source leakage | ±100nA |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 34ns |
| Напряжение сток-исток | -100V |
| Импульсный ток стока | -72A |
| Коэффициент снижения мощности | 1.0W/°C |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 6.2S |
| Internal drain inductance | 4.5nH |
| Maximum power dissipation | 150W |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | -5.5V/ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +175°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -2.0V |
| Internal source inductance | 7.5nH |
| Пиковая температура пайки | 300°C for 10s |
| Энергия лавины | 15mJ |
| Длительный ток стока 25°C | -19A |
| Pulsed diode forward current | -72A |
| Repetitive avalanche current | -19A |
| Обратная проходная емкость | 140pF |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| Непрерывный ток стока 100°C | -13A |
| Энергия одиноч. импульса | 640mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | -100V |
| Тепл. сопр. корпус-рад. | 0.50°C/W |
| Zero gate voltage drain current | 100μA at V_DS=-100V, 500μA at V_DS=-80V, T_J=150°C |
| Body diode reverse recovery time | 130ns (max 260ns) |
| Drain source on state resistance | 0.20Ω at V_GS=-10V, I_D=-11A |
| Body diode reverse recovery charge | 0.35μC (max 0.70μC) |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 1.0°C/W |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +175°C |
| Continuous source drain diode current | -19A |
| Термосопротивление переход-среда | 62°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?