Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23A
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 246 шт.
Норм. уп.: 800
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 246 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 800
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 81,82 |
| от 27 | 75,75 |
| от 54 | 70,79 |
| от 108 | 67,09 |
| от 216 | 64,32 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канального типа от Infineon. Работает при напряжении до 100 В и токе до 23 А, корпус D2Pak (TO-263). Подходит для цепей управления питанием и защиты от перегрузок в промышленной автоматике и силовой электронике.
Технические характеристики
| Канал (N/P) | P-Channel |
| Корпус | D2Pak (TO-263) |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 45ns |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 64ns |
| Описание | P-Channel MOSFET 100V 23A |
| Артикул | IRF9540NSTRLPBF |
| Тип транзистора | P-Channel MOSFET |
| Лавинный ток | -14A |
| Вх. емкость | 1450pF |
| Полный заряд затвора | 73nC typ, 110nC max |
| Заряд затвор-исток | 13nC typ, 20nC max |
| Выходная емкость | 430pF |
| Время задержки включения | 13ns |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 40ns |
| Напряжение сток-исток | -100V |
| Forward turn on time | negligible |
| Импульсный ток стока | -92A |
| Напр. диода | -1.6V |
| Pulsed source current | -92A |
| Время обратного восстановления | 140ns typ, 210ns max |
| Температура пайки | 300°C for 10s (1.6mm from case) |
| Gate threshold voltage | -2.0V to -4.0V |
| Коэффициент снижения мощности | 0.9W/°C |
| Power dissipation ta25 | 3.1W |
| Power dissipation tc25 | 110W |
| Заряд обратного восстановления | 890nC typ, 1340nC max |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 5.6S |
| Gate drain miller charge | 38nC typ, 57nC max |
| Continuous source current | -23A |
| Internal drain inductance | 4.5nH |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | -13V/ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Internal source inductance | 7.5nH |
| Gate source forward leakage | 100nA |
| Gate source reverse leakage | -100nA |
| Энергия лавины | 11mJ |
| Drain source leakage current | -50µA |
| Обратная проходная емкость | 230pF |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK |
| Continuous drain current tc25 | -23A |
| Энергия одиноч. импульса | 84mJ |
| Continuous drain current tc100 | -14A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -100V |
| Рабочая температура перехода | -55 to +150°C |
| Drain source leakage current 125c | -250µA |
| Static drain source on resistance | 117mΩ |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | -0.11V/°C |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 1.1°C/W |
| Термосопротивление переход-среда | 40°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?