Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 12А 88Вт
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
34 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:34 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 500 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 80,73 |
| от 50 | 76,41 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный от Vishay. Работает при напряжении до 100 В, токе до 12 А и мощности 88 Вт, выпускается в корпусе TO-220AB. Подходит для коммутации нагрузки и схем управления питанием в промышленной автоматике и силовой электронике.
Технические характеристики
| Время спада | 39ns |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 52ns |
| Channel type | P-channel |
| Корпус | TO-220AB |
| Конфигурация | Single |
| Тип монтажа | THT |
| On resistance | 0.30Ω |
| Момент затяжки | 1.1N·m |
| Заряд сток-затвор | 21nC |
| Вх. емкость | 860pF |
| Полный заряд затвора | 38nC |
| Body diode voltage | -6.3V |
| Заряд затвор-исток | 6.8nC |
| Выходная емкость | 340pF |
| Время задержки включения | 12ns |
| Структура | P-канал |
| Время задержки выключения | 31ns |
| Напряжение сток-исток | -100V |
| Импульсный ток стока | -48A |
| Gate input resistance | 0.4 to 3.3Ω |
| Макс. рас. мощн. | 88W |
| Температура пайки | 300°C for 10s |
| Коэффициент снижения мощности | 0.59W/°C |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 3.7S |
| Internal drain inductance | 4.5nH |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 5.5V/ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +175°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -2.0V |
| Internal source inductance | 7.5nH |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +175°C |
| Энергия лавины | 8.8mJ |
| Длительный ток стока 25°C | -12A |
| Repetitive avalanche current | -12A |
| Обратная проходная емкость | 93pF |
| Thermal resistance case sink | 0.50°C/W |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 100V 12A TO-220AB |
| Непрерывный ток стока 100°C | -8.2A |
| Энергия одиноч. импульса | 400mJ |
| Body diode reverse recovery time | 120ns |
| Body diode reverse recovery charge | 0.46μC |
| Thermal resistance junction case max | 1.7°C/W |
| Thermal resistance junction ambient max | 62°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 88 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?